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전극용 은 막대 입자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191413
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액상환원법으로 Ag 입자를 제조하고, 상기 Ag 입자를 씨드로 이용하여 높은 장단축비를 지닌 막대상 Ag입자를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 씨드로 이용되는 Ag 입자를 몰비에 따라 CTAB와 AgNO3의 몰비가 0.5인 수용액에 넣어서 구형의 나노입자를 성장시키는 단계로 이루어진 전극용 은막대입자 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 높은 장단축비를 형성하는 막대상 Ag 입자를 제조할 수 있는 방법을 제공함으로써 기존 Ag 페이스트의 전극 특성을 보완할 전극용 잉크로서의 Ag 졸로 활용이 가능하고, PDP 전극제조에 있어 원가 절감이 가능한 매우 유용한 발명인 것이다.전극, 은, 막대, 입자
Int. CL H01J 11/22 (2012.01.01) H01J 9/02 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01)
출원번호/일자 1020060018389 (2006.02.24)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0756853-0000 (2007.08.31)
공개번호/일자 10-2007-0088151 (2007.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20070907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종국 대한민국 광주 동구
2 장우양 대한민국 광주 서구
3 황규홍 대한민국 경남 진주시
4 서동석 대한민국 광주 북구
5 박근주 대한민국 전남 장성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김신곤 대한민국 광주광역시 동구 준법로 **, 김신곤특허사무소 (지산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0138141-86
2 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0390405-89
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0078821-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0127319-39
6 의견서
Written Opinion
2007.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0265611-13
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0265621-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2007-5087029-16
9 등록결정서
Decision to grant
2007.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0467049-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149329-23
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.19 수리 (Accepted) 4-1-2011-5189513-90
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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액상환원법으로 Ag 입자를 제조하고, 상기 Ag 입자를 씨드로 이용하여 높은 장단축비를 지닌 막대상 Ag입자를 제조하기 위한 방법에 있어서,상기 씨드로 이용되는 Ag 입자를 CTAB(cetyltrimethyl ammonium bromide):AgNO3의 몰비가 1:50인 수용액에 넣어서 구형의 나노입자를 성장시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 전극용 은막대입자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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