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(a) 산화아연 분말을 몰드에 투입하는 단계;
(b) 기판을 가열하는 단계; 및
(c) 상기 (a) 단계의 산화아연 분말을 스퍼터링 타겟으로 이용하고, 기판 상에 아르곤 및 산소의 혼합가스를 흘려주면서 스퍼터링하는 단계를 포함하는 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화아연 분말은 95~99
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제1항에 있어서, 상기 몰드는 총 두께가 5~7mm이고, 산화아연 분말이 투입되는 깊이가 1~3mm인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판 또는 SiN 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 기판은 300~650℃의 온도로 가열시키고, 상기 (c) 단계의 아르곤 및 산소의 혼합가스는 아르곤의 유량을 10~30sccm 및 산소의 유량을 5~15sccm으로 유지시키고, 박막 증착 시 압력을 5
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 스퍼터링은 RF 스터퍼링, DC 스퍼터링, 바이어스(bias) 스퍼터링 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 스퍼터링은 50~300W의 전력을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
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(a) 기판 상에 금속 박막을 증착하는 단계;
(b) 상기 (a)단계에서 금속 박막이 증착된 기판을 스퍼터링 챔버에 장착하는 단계;
(c) 상기 (b) 단계의 기판을 가열하는 단계; 및
(d) 몰드에 투입된 산화아연 분말을 스퍼터링 타겟으로 이용하고, 상기 (c) 단계에서 가열된 기판 상에 아르곤 및 산소의 혼합가스를 흘려주면서 스퍼터링 하는 단계를 포함하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판 또는 SiN 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 스퍼터링은 RF 스퍼터링, DC 스퍼터링, 바이어스(bias) 스퍼터링 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계의 금속은 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이산화티타늄(TiO2)으로 이루어진 군중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (c) 단계의 기판은 300~600℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (d) 단계의 산화아연 분말은 95~99
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제8항에 있어서, 상기 (d) 단계의 몰드는 총 두께가 5~7mm이고, 산화아연 분말이 투입되는 깊이가 1~3mm인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (d) 단계의 아르곤 및 산소의 혼합가스는 아르곤의 유량을 10~30sccm 및 산소의 유량을 5~15sccm으로 유지시키고, 박막 증착 시 압력을 5
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제8항에 있어서, 상기 (d) 단계의 스퍼터링은 40~60W의 전력으로 30~40분 동안 수행하여 산화아연 박막을 증착 및 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제8항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조체는 나노점(nano-dot), 나노와이어(nano-wire), 나노쉬트(nano-sheet), 나노로드(nano-rod), 나노플라워(nano-flower) 및 나노플레이트(nano-plate)로 이루어진 군중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노구조체의 제조방법
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