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투명기판상에 형성된 투명전도성 산화막에 있어서,상기 투명기판상에 증착된 ZnO 박막; 및 상기 ZnO 박막 상에 ZnO 및 Ga2O3가 동시 증착되어 이루어진 경사기능 박막을 포함하며,상기 경사기능 박막 내의 Ga2O3는 두께 방향으로 농도 구배를 가지고, 상기 경사기능 박막은, 전체 투명전도성 산화막의 두께에 대하여 표면으로부터 10 내지 40%의 두께 비율로 포함되는 것을 특징으로 하는 경사기능 투명전도성 산화막
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청구항 1에 있어서,상기 투명전도성 산화막의 두께는 50 내지 400nm인 것을 특징으로 하는 경사기능 투명전도성 산화막
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청구항 1에 있어서,상기 투명전도성 산화막은 육방정계 우르투이트(hexagonal wurtzite) 결정구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 경사기능 투명전도성 산화막
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기판, 양극, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 음극이 순서대로 적층되어 형성되는 유기발광다이오드에 있어서,상기 양극은 투명전도성 산화막으로 형성되되,상기 투명전도성 산화막은 상기 기판상에 증착된 ZnO 박막; 및 상기 ZnO 박막 상에 ZnO 및 Ga2O3가 동시 증착되어 이루어진 경사기능 박막을 포함하며,상기 경사기능 박막 내의 Ga2O3는 두께 방향으로 농도 구배를 가지고, 상기 경사기능 박막은, 전체 투명전도성 산화막의 두께에 대하여 표면으로부터 10 내지 40%의 두께 비율로 포함되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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기판, 배면전극, 광흡수층, 버퍼층, 투명전극으로 기능을 수행하는 윈도우층이 순서대로 적층되어 형성되는 태양전지에 있어서,상기 윈도우층은 투명전도성 산화막을 포함하여 구성되되,상기 투명전도성 산화막은 상기 버퍼층에 증착된 ZnO 박막; 및 상기 ZnO 박막 상에 ZnO 및 Ga2O3가 동시 증착되어 이루어진 경사기능 박막을 포함하며,상기 경사기능 박막 내의 Ga2O3는 두께 방향으로 농도 구배를 가지고, 상기 경사기능 박막은, 전체 투명전도성 산화막의 두께에 대하여 표면으로부터 10 내지 40%의 두께 비율로 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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투명기판상에 ZnO 박막을 증착하는 단계; 및 상기 ZnO 박막 상에 ZnO 및 Ga2O3를 동시에 증착하여 경사기능 박막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 Ga2O3의 증착시 출력을 변화시키며 증착함으로써, 상기 경사기능 박막 내의 Ga2O3가 두께 방향으로 농도 구배를 가지고, 상기 경사기능 박막이 전체 투명전도성 산화막의 두께에 대하여 표면으로부터 10 내지 40%의 두께 비율로 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 경사기능 투명전도성 산화막의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 ZnO 박막 및 ZnO-Ga2O3혼합 박막의 증착은 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 경사기능 투명전도성 산화막의 제조방법
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