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CuSe2를 타겟으로 하는 비셀렌화 스퍼터링 공정을 이용한 CIGS 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191771
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CuSe2를 타겟으로 하는 비셀렌화 스퍼터링 공정을 이용한 CIGS 박막 제조방법에 관한 것으로서, CuSe2 타켓으로 스퍼터링 증착을 수행하여 CIGS 박막을 제조하기 위한 방법을 제공함에 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 기판에 마련된 CuSe2 타겟에 프리 스퍼터링 수행하는 단계; (b) RF 마그네트론 스퍼터링 수행하는 단계; 및 (c) Ga/In/CuSe2 다층 스택구조를 생성하기 위하여, 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 타겟을 RF 스퍼터링을 수행하여 CuSe2 박막 위에 증착하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) H01L 31/032 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020130009267 (2013.01.28)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1521450-0000 (2015.05.13)
공개번호/일자 10-2014-0097645 (2014.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남훈 대한민국 광주 서구
2 오성하 대한민국 광주 남구
3 이우선 대한민국 광주 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0080252-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012335-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0202583-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0492347-64
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0492348-10
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0737415-42
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1236995-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1236994-70
12 등록결정서
Decision to grant
2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0190902-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 공정 매개변수에 따라 CuSe2 타겟을 RF 마그네트론 스퍼터링하여 기판 상에 CuSe2 박막을 형성하는 단계; 및(b) Ga/In/CuSe2 다층 스택구조를 생성하기 위하여, 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 타겟을 RF 스퍼터링하여 상기 CuSe2 박막이 형성된 기판 상에 인듐(In)/갈륨(Ga) 박막을 형성하는 단계; 를 포함하는 CuSe2를 타겟으로 하는 비셀렌화 스퍼터링 공정을 이용한 CIGS 박막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 기판은, 코닝(corning) 유리 기판인 것을 특징으로 하는 CuSe2를 타겟으로 하는 비셀렌화 스퍼터링 공정을 이용한 CIGS 박막 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 인듐(In)과 갈륨(Ga) 타겟을 각각 20와트(Watt) 내지 40와트(Watt)의 RF 스퍼터링 파워로, RF 스퍼터링을 수행하는 것을 특징으로 하는 CuSe2를 타겟으로 하는 비셀렌화 스퍼터링 공정을 이용한 CIGS 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 조선대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 집광형용 고효율 화합물박막태양전지 모듈 및 고정밀 태양광 추적장치 개발