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808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법

  • 기술번호 : KST2015191774
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법에 관한 것으로서, 연속 웨이브(CW) 808nm 레이저를 이용하여 CdTe 박막에 레이저 열처리를 수행함으로써, 입자 성장 및 박막의 결정을 개선하고, 다양한 레이저 출력에서 열처리를 진행함으로써, 이에 따른 구조 및 광학특성, 광투과율, 흡수계수, 결정크기 등을 분석하도록 함에 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) CdTe 타겟을 이용하여 CdTe 박막을 증착하는 과정; 및 (b) 다이오드 레이저를 이용하여, 증착된 CdTe 박막을 열처리 하는 과정; 을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1828(2013.01) H01L 31/1828(2013.01) H01L 31/1828(2013.01)
출원번호/일자 1020130009268 (2013.01.28)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0097646 (2014.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남훈 대한민국 광주 서구
2 박찬일 대한민국 광주 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0080255-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096963-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0224713-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0517357-41
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0517358-97
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0741900-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) CdTe 타겟을 이용하여 CdTe 박막을 증착하는 과정; 및(b) 다이오드 레이저를 이용하여, 증착된 CdTe 박막을 열처리 하는 과정; 을 포함하는 808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 과정은, (a-1) 기판에 마련된 CdTe 타겟에 프리 스퍼터링 수행하는 단계; 및(a-2) 공정 매개변수에 따라 RF 마그네트론 스퍼터링을 수행하여, CdTe 박막을 증착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 과정에서, 상기 기판은, 코닝(corning) 유리 기판인 것을 특징으로 하는 808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 과정에서, 프리 스퍼터링(pre-sputtering)을 1분 내지 10분간 수행하는 것을 특징으로 하는 808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 과정에서,공급전류를 조정에 따라, 상기 CdTe 박막에 레이저 출력파워를 0
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 과정에서,갈바노 미러(Galvanometer Mirror) 회전 방식을 이용하여, 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 과정 이후에,(c) X-선 회절 분석기를 이용하여 박막 결정구조를 분석하는 과정; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 808nm 다이오드 레이저를 이용한 박막태양전지용 CdTe 박막의 열처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 조선대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 집광형용 고효율 화합물박막태양전지 모듈 및 고정밀 태양광 추적장치 개발