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금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191812
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 나노와이어 투명전극층을 이용한 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과, n형 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층과, 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체층과, n형 질화물 반도체층의 일측에 형성된 n형 전극과, p형 질화물 반도체층 상의 일측에 형성된 p형 전극과, p형 질화물 반도체 상의 노출된 부분에 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층을 포함한다. 이러한 질화물계 발광다이오드에 의하면, p형 질화물 반도체층 위에 금속 나노와이어로 투명전극층을 형성함으로써, 자외선 대역에서의 광투과 특성 저하가 거의 없고, 제작이 용이한 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020130016711 (2013.02.18)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1426849-0000 (2014.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 광주광역시 동구
2 김자연 대한민국 광주광역시 광산구
3 최판주 대한민국 광주광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 광주광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0140494-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0007421-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0101787-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0355151-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0355159-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
9 등록결정서
Decision to grant
2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0512581-47
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과;상기 기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과;상기 n형 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층과;상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체층과;상기 n형 질화물 반도체층의 일측에 형성된 n형 전극과;상기 p형 질화물 반도체층 위의 일측에 형성된 p형 전극과;상기 p형 질화물 반도체 상의 노출된 부분에 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층;을 포함하고,상기 금속 나노와이어로 형성된 투명전극층은 은, 알루미늄, 구리, 금 중 적어도 하나의 소재만으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 투명전극층의 표면에 표면누설전류를 억제하기 위해 ZnO, SixOy, SixNy, Si, AlOx, AlOxNy, SiOxNy, MgxOy 중 어느 하나를 포함하는 무기물 또는 포토레지스터, PMMA(Poly methyl methacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane) 중 어느 하나를 포함하는 유기물로 상기 투명전극층 표면을 덮도록 형성된 외벽층;을 더 포함하고,상기 투명전극층은 상기 p형전극과 접촉되게 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.