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에칭(etching) 영역을 포함하여 상기 에칭 영역에 광섬유 브래그 격자(FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성되는 광섬유;상기 광섬유 브래그 격자를 감싸는 상태로 상기 광섬유의 에칭 영역에 코팅되어 자외선 광에 노출 시 상기 광섬유 브래그 격자에 장력을 유도하는 아조벤젠 폴리머를 포함하며, 상기 에칭 영역은 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩 전체 및 코어 일부가 에칭(etching)되어 형성되고,상기 에칭 영역의 상기 코어는 그 지름이 101
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제 1 항에 있어서,상기 아조벤젠 폴리머는 상기 에칭 영역 전체 및 에칭 영역과 연결되는 상기 광섬유의 일부 영역에 걸쳐 코팅되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 1 항에 있어서,상기 에칭 영역의 상기 코어는 그 지름이 101
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제 1 항에 있어서,상기 아조벤젠 폴리머는 상기 광섬유의 에칭 영역에 열경화법 또는 UV 경화법을 이용하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 6 항에 있어서,상기 아조벤젠 폴리머는 비닐 이서 타입(vinyl ether-type)의 아조벤젠 모노머, TMPTA(trimethylol propane trimethacrylate), HEA(hydroxyethyl acrylate) 및 광개시제로 구성된 중합체인 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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에칭(etching) 영역을 포함하여 상기 에칭 영역에 광섬유 브래그 격자(FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성되는 광섬유;상기 광섬유 브래그 격자를 감싸는 상태로 상기 광섬유의 에칭 영역에 코팅되어 자외선 광에 노출 시 상기 광섬유 브래그 격자에 장력을 유도하는 아조벤젠 폴리머;상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일단에 연결되어 상기 광섬유의 에칭 영역 및 광섬유 브래그 격자 그리고 상기 아조벤젠 폴리머에 의해 형성되는 광 반응부를 향해 광을 조사하는 광원;상기 광섬유의 상기 광원 및 광섬유 브래그 격자 사이의 어느 한 지점에 연결되어 상기 광 반응부에서 반사되는 상기 광원의 빛이 입사되는 광 스펙트럼 분석기를 포함하며,상기 에칭 영역은 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩 전체 및 코어 일부가 에칭(etching)되어 형성되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광섬유의 상기 광원 및 광 반응부 사이에 서큘레이터(circulator)가 설치되고 상기 서큘레이터에 상기 광 스펙트럼 분석기가 연결되어 상기 광 반응부에서 반사되는 상기 광원의 빛이 상기 서큘레이터를 통해 상기 광 스펙트럼 분석기에 입사되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광섬유의 상기 광원 및 광 반응부 사이의 어느 한 지점에 설치되어 상기 광원의 빛이 반사되면서 다시 광원으로 들어가는 것을 차단하는 아이솔레이터(Isolator)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광원은 1550㎚ 영역의 광대역의 광원이 사용되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광섬유는 4m~6m의 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광 반응부의 중심 파장은 상기 아조벤젠 폴리머가 자외선 광에 노출되는 시간에 비례하여 증가하는 동시에 자외선 광의 세기가 커짐에 따라 선형적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서
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