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인공위성에 설치되는 멤스 기반 가변 방사율 라디에이터에 관한 것으로써,반도체기판(10);상기 반도체기판(10) 상에 설치되고 방사율이 상이한 2개의 플레이트(21, 23)가 동일평면 상에 나란히 배열되는 방열플레이트(20);상기 반도체기판(10) 상에 설치되고 상기 방열플레이트(20)의 좌우측 단부에 각각 배치되는 전극(30);상기 반도체기판(10) 상에 설치되고 상기 방열플레이트(20)의 전후측 단부에 각각 배치되어, 상기 전극(30)과 함께 상기 방열플레이트(20)의 상부에 수용공간(45)을 형성하는 단부마감벽(40);상기 수용공간(45) 내에 수용되고 대전특성이 있는 재질로 형성되며, 상기 전극(30)을 통해 가해지는 전자기장 또는 플라즈마 방전에 의해 대전되는 극성에 따라 상기 방열플레이트(20) 상에서 일측 또는 타측으로 이동되면서 상기 방열플레이트(20)를 부분적으로 폐쇄하여 상기 방열플레이트(20)의 방사율을 조절하는 방사율조정비드(50); 및,상기 전극(30)과 상기 단부마감벽(40)의 상단에 설치되어 상기 수용공간(45)을 폐쇄하는 상부마감커버(60)를 포함되는 것을 특징으로 하는 멤스 기반 우주용 가변 방사율 라디에이터
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제 1 항에 있어서, 상기 전극(30)은,상기 방열플레이트(20)의 일측에 배치되는 접지전극부(31)와, 상기 방열플레이트(20)의 타측에 배치되며 극성을 가지는 전압이 제공되는 일반전극부(33)를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 기반 우주용 가변 방사율 라디에이터
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제 2 항에 있어서, 상기 방열플레이트(20) 중 방사율이 상대적으로 낮은 제1 플레이트(21)는 상기 접지전극부(31) 측에 배열되고 상기 방열플레이트(20) 중 방사율이 상대적으로 높은 제2 플레이트(23)는 상기 일반전극부(33) 측에 배열되는 것을 특징으로 하는 멤스 기반 우주용 가변 방사율 라디에이터
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제 1 항에 있어서, 상기 방사율조정비드(50)는,상기 전극(30)을 통해 (+)극성의 전자기장 또는 플라즈마 방전이 발생될 경우 상기 방사율조정비드(50)는 상기 방열플레이트(20) 중 방사율이 상대적으로 낮은 제1 플레이트(21) 측으로 이동되어 상기 방열플레이트(20)의 방사율을 증가시키고, 상기 전극(30)을 통해 (-)극성의 전자기장 또는 플라즈마 방전이 발생될 경우 상기 방사율조정비드(50)는 상기 방열플레이트(20) 중 방사율이 상대적으로 높은 제2 플레이트(23) 측으로 이동되어 상기 방열플레이트(20)의 방사율을 감소시키는 것을 특징으로 하는 멤스 기반 우주용 가변 방사율 라디에이터
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제 1 항에 있어서, 상기 방사율조정비드(50)는,대전특성이 우수한 알루미나 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 멤스 기반 우주용 가변 방사율 라디에이터
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 방열플레이트(20) 상에 적어도 하나 이상 설치되며, 상기 수용공간(45)을 다수의 라인으로 구획형성하여 상기 방사율조정비드(50)의 상호간섭을 방지하면서 방사율조정비드(50)의 이동을 가이드하는 비드간섭방지벽(70)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 기반 우주용 가변 방사율 라디에이터
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