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은 나노입자를 함유한 저온소성 페이스트 조성물 및 이를이용한 도전성 후막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015192014
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 크기의 실버 분말과 유리 분말, 용매제인 비이클을 80:1:19의 중량비율로 이루어지는 은 나노입자를 함유한 저온소성 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 나노 크기의 실버입자를 사용하는 저온소성 페이스트의 제조가 가능해지며, 이를 이용해 전극 제조시 저온 열처리에 의하여 우수한 박막을 형성할 수 있는 것이어서 재료의 낭비를 줄이고, 전극형상의 정밀도가 떨어지는 단점을 해결할 수 있는 매우 유용한 발명인 것이다.은, 나노입자, 저온소성, 페이스트
Int. CL H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 1/22 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC H01B 1/02(2013.01) H01B 1/02(2013.01) H01B 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020070041361 (2007.04.27)
출원인 조선대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0096204 (2008.10.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장우양 대한민국 광주 서구
2 이종국 대한민국 광주 동구
3 박근주 대한민국 전남 장성군
4 박성현 대한민국 광주 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차명수 대한민국 광주광역시 서구 상무자유로 *** (치평동)(반석국제특허사무소)
2 김신곤 대한민국 광주광역시 동구 준법로 **, 김신곤특허사무소 (지산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0321157-99
2 특허출원서
Patent Application
2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0320518-00
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2007-5087029-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0205577-44
5 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2008.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0348585-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0348518-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0480720-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0792418-69
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0792442-55
10 보정요구서
Request for Amendment
2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0128572-23
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0813870-10
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0128816-67
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0308610-90
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0231923-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149329-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.19 수리 (Accepted) 4-1-2011-5189513-90
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 크기의 실버 분말과 유리 분말, 용매제인 비이클을 80:1:19의 중량비율로 이루어짐을 특징으로 하는 은 나노입자를 함유한 저온소성 페이스트 조성물
2 2
나노 크기의 실버 분말과 유리 분말, 용매제인 비이클을 80:1:19의 중량비율로 혼합한 페이스트 조성물을 스크린 마스크로 알루미나 기판에 스크린 인쇄하는 단계와, 상기 페이스트 조성물의 비이클 제거를 위해 120℃에서 20분간 건조하여 후막 필름을 형성하는 단계와, 상기 후막 필름을 250~450℃에서 15분간 열처리하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 은 나노입자를 함유한 저온소성 페이스트 조성물을 이용한 도전성 후막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.