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넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015192685
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 씨모스 이미지 센서(CMOS Image Sensor)의 픽셀 아웃 노드에 형성되는 NMOS, PMOS의 ON-OFF 특성을 이용하여 넓은 범위의 빛의 세기를 구분할 수 있도록 한 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 입사되는 빛에 의해 신호 전하를 생성하는 포토다이오드;상기 포토다이오드에서 생성된 신호 전하에 의해 포텐셜 레벨이 변화되는 픽셀 아웃 노드;상기 픽셀 아웃 노드의 포텐셜 변화에 의해 소오스단의 바이어스가 변화되는 셀렉트 트랜지스터;로우 선택 신호에 의해 포텐셜 레벨을 컬럼 선택 라인으로 출력하는 액세스 트랜지스터;상기 픽셀 아웃 노드와 VDD 단자 사이에 서로 직렬 연결 구성되어 입사되는 빛의 세기에 따라 신호 전하의 오버플로우를 제어하는 제 1,2 동적 범위 제어 소자를 포함하고, 단위 픽셀이 구성된다. 포토전류, OFD Node 전압, APS, CIS, 동적 범위, 광감도
Int. CL H04N 5/355 (2011.01.01) H04N 5/374 (2011.01.01)
CPC H04N 5/355(2013.01) H04N 5/355(2013.01)
출원번호/일자 1020070141536 (2007.12.31)
출원인 인제대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0977834-0000 (2010.08.18)
공개번호/일자 10-2009-0073562 (2009.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경남 김해시 인제로 *

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전민현 대한민국 경남 김해시
2 김진수 대한민국 부산 남구
3 송한정 대한민국 부산 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문춘오 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 김해시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0950381-96
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0081403-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0031169-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0438392-37
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0806812-53
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0806815-90
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0073275-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0259764-97
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0259763-41
11 등록결정서
Decision to grant
2010.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0344840-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5124408-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.18 수리 (Accepted) 4-1-2012-5216806-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5175090-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5100061-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2017-5214791-60
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5082225-25
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149036-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
픽셀 아웃 노드와 접지 단자 사이에 구성되어 입사되는 빛에 의해 신호 전하를 생성하는 포토다이오드; 상기 포토다이오드에서 생성된 신호 전하에 의해 포텐셜 레벨이 변화되는 픽셀 아웃 노드; 상기 픽셀 아웃 노드에 게이트가 연결되고 한쪽 전극은 VDD 단자에 연결되어 상기 픽셀 아웃 노드의 포텐셜 변화에 의해 소오스단의 바이어스가 변화되는 셀렉트 트랜지스터; 상기 셀렉트 트랜지스터에 직렬 연결되고 한쪽 전극이 칼럼 선택 라인에 연결되어, 게이트에 Row 선택 신호 입력 단자를 통하여 로우 선택 신호(Row_Selection)가 입력되면 상기 픽셀 아웃 노드의 포텐셜 레벨 변화에 따른 전위값을 컬럼 선택 라인으로 출력하는 액세스 트랜지스터; 상기 픽셀 아웃 노드와 VDD 단자 사이에 서로 직렬 연결 구성되어 입사되는 빛의 세기에 따라 신호 전하의 오버플로우를 제어하는 제 1,2 동적 범위 제어 소자를 포함하고, 단위 픽셀이 구성되는 것을 특징으로 하는 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 제 1 동적 범위 제어 소자는 PMOS 트랜지스터이고, 제 2 동적 범위 제어 소자는 소오스가 상기 픽셀 아웃 노드에 연결되는 NMOS 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터들은 오버플로우 드레인(OFD) 노드를 통하여 직렬 연결되고, 각각의 트랜지스터의 게이트는 상기 오버플로우 드레인(OFD) 노드에 공통으로 연결되고, 상기 오버플로우 드레인(OFD) 노드는 상기 제 1,2 동적 범위 제어 소자의 동작에 따라 포토다이오드에서 생성된 신호 전하를 오버플로우 시키는 노드인 것을 특징으로 하는 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 단위 픽셀에, 게이트에 리셋 신호 입력 단자를 통하여 리셋 신호가 인가되고 한쪽 전극은 픽셀 아웃 노드에 연결되고 다른 쪽 전극은 VDD 단자에 연결되어 상기 전위값의 검출 후에 픽셀 아웃 노드에 축적된 신호 전하를 리셋시키는 리셋 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1,2 동적 범위 제어 소자에 의해, 신호 전하의 축적 단계에서 포토다이오드 전압이 VDD 전압에서 VDD-(Vth(NMOS);NMOS 트랜지스터 문턱전압)까지의 구간에서는 광전류를 오버플로우 하지 않고 포토다이오드에 축적하는 것을 특징으로 하는 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1,2 동적 범위 제어 소자에 의해, 로우 오버플로우(Low-overflow) 단계에서의 포토다이오드 전압은 VDD-(Vth(NMOS);NMOS 트랜지스터 문턱전압)에서 VDD-(Vth(NMOS);NMOS 트랜지스터 문턱전압)-(Vth(PMOS);PMOS 트랜지스터 문턱전압)까지의 범위가 되고, 광전류가 제 1 동적 범위 제어 소자의 subthreshold 범위의 전류만큼 오버플로우 하여 포토다이오드의 전압이 결정되는 것을 특징으로 하는 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1,2 동적 범위 제어 소자에 의해, 하이 오버플로우(High-overflow) 단계에서의 포토다이오드 전압은 VDD-(Vth(NMOS);NMOS 트랜지스터 문턱전압)-(Vth(PMOS);PMOS 트랜지스터 문턱전압)로부터 0까지의 범위가 되고, 광전류가 제 1 동적 범위 제어 소자의 인버전(inversion) 범위의 전류만큼 오버플로우하여 포토다이오드의 전압이 결정되는 것을 특징으로 하는 넓은 동적 범위을 갖는 씨모스 이미지 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.