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저진공 축전 결합형 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정

  • 기술번호 : KST2015192748
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 식각 공정에 관한 것으로서, 더 상세히는, 저진공 축전 결합형 BCl3/N2 플라즈마를 이용하여 갈륨을 포함하는 기재를 건식 플라즈마 식각하는 공정에 관한 것이다. 본 발명은, 축전결합형 플라즈마를 이용하여 갈륨 원소를 포함한 기재를 건식 식각하는 공정에 있어서, 진공챔버 내의 압력은 50 ~ 300 mTorr; 척에 인가되는 전력은 10 ~ 500 W; 식각가스는 순수한 BCl3, 또는 BCl3와 N2 의 혼합가스를 사용한 것을 특징으로 한다. 본 발명의 공정은 저진공 축전결합형 플라즈마를 사용하여, 식각공정에 소요되는 비용이 저렴하면서도, 상대적으로 높은 식각율을 나타내는 효과가 있다.축전결합, 플라즈마, 건식 식각, 에칭, 갈륨, 염소, 질소, 저진공
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/30621(2013.01)
출원번호/일자 1020090050429 (2009.06.08)
출원인 인제대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1207447-0000 (2012.11.27)
공개번호/일자 10-2010-0131703 (2010.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20121203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경남 김해시 인제로 *

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이제원 대한민국 경상남도 김해시 경원로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 경남 김해시 인제로 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0344790-22
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0038286-71
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0352571-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0024030-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0076438-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0262847-94
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0262821-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0617510-97
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1025714-17
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-5003426-07
12 보정요구서
Request for Amendment
2012.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0014102-21
13 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0130018-99
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0156825-15
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0156824-70
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0249427-52
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0391631-66
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0391629-74
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5124408-82
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.18 수리 (Accepted) 4-1-2012-5216806-20
21 등록결정서
Decision to grant
2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0708903-73
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5175090-75
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5100061-64
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2017-5214791-60
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5082225-25
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149036-07
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번호 청구항
1 1
축전결합형 플라즈마를 이용하여 갈륨 원소를 포함한 기재를 건식 식각하는 공정에 있어서, 진공챔버 내의 압력은 50 ~ 300 mTorr;척에 인가되는 전력은 10 ~ 500 W;식각가스는 순수한 BCl3를 포함하며,상기 순수한 BCl3 대비 N2의 혼합률(%)이 20 내지 60인 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기재는, GaAs, AlGaAs, GaP, GaSb 및 GaN 에서 선택되어지는 하나 이상의 물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 식각가스 BCl3및 N2 의 혼합비는 BCl3 : N2 = 4 : 1 인 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 진공챔버 내의 압력은 150 mTorr인 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 척에 인가되는 전원은 100 W 인 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 식각가스의 총유량은 5 ~ 100 sccm 범위 내인 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 식각가스의 총유량은 20 sccm인 것임을 특징으로 하는 건식 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.