| 1 |
1
기판, 하부전극, 화합물 반도체층, 버퍼층, 윈도우층 및 상부전극이 순차적으로 적층된 화합물 태양전지에 있어서, 상기 윈도우층의 박막 두께는 355 nm 내지 428 nm이고, 상기 버퍼층의 박박 두께는 75 nm 내지 105 nm이고, 광 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 화합물 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 윈도우층은 ZnO층이고, 버퍼층은 CdS인 것을 특징으로 하는 화합물 태양전지
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 ZnO의 박막 두께는 377
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 CdS의 박막 두께는 82
|
| 5 |
5
제3항 또는 제4항에 있어서,상기 광 투과율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 화합물 태양전지
|
| 6 |
6
기판, 하부전극, 및 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 화합물 반도체층 상에 버퍼층의 두께를 75 내지 105 nm로 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 윈도우층 두께를 355 nm 내지 428 nm로 하여 형성하는 단계; 및 상기 윈도우 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하고, 광 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 화합물 태양전지의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 윈도우층은 ZnO층이고, 버퍼층은 CdS인 것을 특징으로 하는 화합물 태양전지의 제조방법
|
