| 1 |
1
I) 기판 및 수열 합성용 금속 전구체를 수열 합성 반응기에 넣고 가열하여 기판의 상부에 수열 합성에 의한 제 1차 나노 로드를 성장시키는 단계;II) 상기 나노 로드의 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 및III) 상기 표면이 플라즈마 처리된 나노 로드를 포함하는 기판을 수열 합성용 금속 전구체와 함께 수열 합성 반응기에 넣고 가열하여 표면이 플라즈마 처리된 나노 로드 상부에 수열 합성에 의한 제 2차 나노 로드를 성장시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 II) 단계와 상기 III) 단계는 적어도 2회 반복되는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 III) 단계의 제 2차 나노 로드 성장 단계를 수행한 이후 상기 II) 단계의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 한번 더 수행하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 금속 기판, 석영, 금속 산화물 기판 또는 금속 질화물 기판인 것인 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 I 단계에서의 제 1차 나노 로드를 구성하는 산화물은 아연, 규소, 티탄, 주석 및 인듐으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물로 구성되고, 상기 III 단계에서 성장된 제 2차 나노 로드를 구성하는 산화물은 아연, 규소, 티탄, 주석 및 인듐으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물로 구성되며, 상기 I 단계에서의 제 1차 나노 로드를 구성하는 산화물과 상기 III 단계에서 성장된 제 2차 나노 로드를 구성하는 산화물이 같은 화합물인 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 I 단계에서의 제 1 차 나노 로드를 구성하는 산화물은 아연, 규소, 티탄, 주석 및 인듐으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물로 구성되고, 상기 III 단계에서 성장된 제 2차 나노 로드를 구성하는 산화물은 아연, 규소, 티탄, 주석 및 인듐으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물로 구성되며, 상기 I 단계에서의 제 1 차 나노 로드를 구성하는 산화물과 상기 III 단계에서의 제 2 차 나노 로드를 구성하는 산화물이 서로 다른 화합물인 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 7 |
7
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 아연, 규소, 티탄, 주석 및 인듐으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 산화물은 상기 산화물 내에 상기 아연, 규소, 티탄, 주석 및 인듐 외에 금속을 1개 또는 2개 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 I 단계에서의 제 1 차 나노 로드와 상기 III 단계에서의 제 2차 나노로드가 산화 아연으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,(a)기판의 상부에 산화 아연 씨드층을 형성하는 단계;(b)상기 산화 아연 씨드층이 형성된 기판을 400 내지 1000 ℃에서의 열처리에 의하여 산화시켜 다수의 금속 산화물 결정을 형성하는 단계; (c)상기 기판을 수열 합성용 반응기에서 아연 전구체와 HMT(hexamethylenetetramine) 전구체를 포함하는 수용액과 가열하여 제1 차 나노 로드를 수열합성하는 단계;(d)상기 기판에 성장된 나노 로드의 표면을 플라즈마로 처리하는 단계; 및 (e)상기 플라즈마 처리된 표면을 갖는 나노 로드를 포함하는 기판을 수열 합성용 반응기에서 아연 전구체와 HMT(hexamethylenetetramine) 전구체를 포함하는 수용액과 가열하여 제 2차 나노 로드를 수열 합성하는 단계를 포함하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 (d)와 (e) 단계를 적어도 2 회 반복하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 (e) 단계의 제 2차 나노 로드 합성 이후 표면을 플라즈마로 처리하는 단계를 한번 더 수행하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 (c) 단계와 상기 (e) 단계에서의 아연 전구체는 질산아연, 황산아연, 염화아연, 아세트산아연 및 이들의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 (c) 단계에서는 수열 합성 반응기의 온도가 70 내지 150 ℃로 30분 내지 2시간 동안 일정하게 유지되면서 제 1차 나노 로드가 수열합성되는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서, 상기 (d) 단계에서의 표면 플라즈마 처리는 두 전극 사이의 방전으로 플라즈마를 발생시키고, 상기 발생시킨 플라즈마로 상기 생성된 나노 로드의 표면을 처리하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 15 |
15
제9항에 있어서, 상기 (d) 계에서의 플라즈마 처리는 산소 가스를 포함하는 처리 가스에 의해 형성된 산소 함유 플라즈마를 작용시켜 산화 처리하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 16 |
16
제9항에 있어서,상기 (e) 단계에서는 수열 합성 반응기의 온도가 70 내지 150 ℃로 일정하게 유지되면서 반응 시간에 따라 상기 제2차 수열 합성되는 나노 로드의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
