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i)기판을 준비하는 단계; ⅱ)박막 형성 화합물을 분산매에 용해시켜서 졸을 제조하는 단계; ⅲ)상기 기판 표면에 상기 박막의 밴드갭보다 큰 전자기파 에너지를 포함하는 전자기파를 조사하면서 상기 졸을 상기 기판 표면에 도포하여 박막을 형성시키는 단계;ⅳ)250℃ 내지 350℃에서 제 1 열처리 단계;및ⅴ)450℃ 내지 550℃에서 제 2 열처리 단계;를 포함하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전자기파의 파장은 상기 박막의 밴드갭 파장보다 작은 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전자기파의 파장은 290 nm 내지 397 nm 인 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전자기파는 레이저 발진기로부터 방출되는 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 레이저 발진기는 루비레이저(Ruby Laser), 네오디뮴-야그 레이저(Nd-YAG Laser), 네오디뮴-유리 레이저(Nd-Glass Laser), 홀뮴 레이저(Holmium Laser), 폴리페닐 레이저, 스틸벤 레이저, 쿠마린 레이저, 헬륨-네온 레이저(He-Ne Laser), 아르곤 레이저(Ar Laser), 크립톤 레이저(Kr Laser), 헬륨-카드뮴 레이저(He-Cd Laser), InAs 레이저, 이산화탄소 레이저(CO2 Laser) 및 엑시머 레이저(Excimer Laser)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 열처리 단계에서 상기 기판 표면에 전자기파를 추가로 조사하는 것을 포함하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 열처리 단계에서 기판 표면에 전자기파를 추가로 조사하는 것을 포함하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 7 항 또는 제 8항에 있어서, 상기 제 1 열처리 단계 또는 제 2 열처리 단계에서 기판에 조사되는 전자기파는 상기 박막의 밴드갭보다 큰 전자기파 에너지를 포함하고, 상기 박막의 밴드갭 파장보다 작은 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 ⅲ)기판 표면에 전자기파를 조사하면서 상기 졸을 상기 기판 표면에 도포하여 박막을 형성시키는 단계; 및 상기 ⅳ)250℃ 내지 350℃에서 제 1 열처리 단계;를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분산매는 이소프로판올(isopropanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 탈이온수(deionized water), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane), 아세토니트릴(acetonitrile)로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 박막 형성 화합물은 아연화합물, 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 및 탈륨화합물로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 아연화합물은 아연 시트레이트 디하이드레이트(Zinc citrate dihydrate), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 디하이드레이트(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 하이드레이트(Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아크릴레이트(Zinc acrylate), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 디에틸디씨오카바메이트(Zinc diethyldithiocarbamate), 아연 디메틸디씨오카바메이트(Zinc dimethyldithiocarbamate), 아연 플루라이드(Zinc fluoride), 아연 플루라이드 하이드레이트(Zinc fluoride hydrate), 아연 헥사플루로아세틸아세토네이트 디하이드레이트(Zinc hexafluoroacetylacetonate dihydrate), 아연 메타아크릴레이트(Zinc methacrylate), 아연 니트레이트 헥사하이드레이트(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 니트레이트 하이드레이트(Zinc nitrate hydrate), 아연 트리플루로메탄술포네이트(Zinc trifluoromethanesulfonate), 아연 운데실레네이트(Zinc undecylenate), 아연 트리플루로아세테이트 하이드레이트(Zinc trifluoroacetate hydrate), 아연 테트라플루로보레이트 하이드레이트(Zinc tetrafluoroborate hydrate) 및 아연 퍼클로레이트 헥사하이드레이트(Zinc perchlorate hexahydrate)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 졸의 박막 형성 화합물의 농도는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 제 ⅱ)단계에서는 헥사메틸렌아민(hexamethyleneamine), 헥사메틸렌테트라아민 (hexamethylenetetramine, HMT), 사이클로헥실아민(cyclohexylamine), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine) 및 트리에탄올아민(triethanolamine)로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 iii)단계에서는 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 또는 드롭 캐스팅(drop casting)에 의하여 상기 졸을 상기 기판 표면에 도포하여 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판, P형 실리콘 기판, Al2O3 기판, MgAl2O4 기판, GaN 버퍼층이 형성된 Al2O3 기판, 웨이퍼 기판, ITO 기판, 석영유리 기판, 플라스틱 기판으로 이루어진 그룹에서 선택된 것인 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법
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제 1 항의 제조 방법에 의하여 제조되는 박막
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제 18 항에 있어서, 상기 박막은 산화 아연 박막인 것을 특징으로 하는 박막
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