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기판 상부에 형성된 제 1도전체막; 상기 제 1도전체막 상부에 형성되는 광도전체막;상기 광도전체막 상부 또는 하부에 형성되는 제 1산화막; 및상기 광도전체막 상부 또는 상기 제 1산화막 상부에 형성된 제 2도전체막;을 포함하고, 상기 제 1산화막은 상기 광도전체막을 형성하는 입자들간의 공간을 채워 상기 광도전체막과 결합하면서 그 상부 또는 그 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1산화막이 상기 광도전체막 상부에 형성될 때 상기 제 2도전체막이 상기 제 1산화막 상부에 형성되고, 상기 제 1산화막이 상기 광도전체막 하부에 형성될 때 상기 제 2도전체막이 상기 광도전체막 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체
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제 2 항에 있어서, 상기 광도전체막이 상기 제 1산화막 상부에 형성될 때 상기 광도전체막과 제 2도전체막 사이에 형성된 제 2산화막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체
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제 1 항에 있어서, 상기 광도전체막과 상기 제 1산화막이 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체
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인가된 전압에 의해 전기장이 유도되는 동안 조사된 X-ray가 피사체를 통과하여 영상으로 구현되는 엑스레이 검출기용 소자에 있어서,상기 소자는,기판 상부에 형성된 하부전극용 제 1도전체막; 상기 제 1도전체막 상부에 형성된 광도전체막;상기 광도전체막 상부 또는 하부에 형성된 제 1산화막; 및상기 광도전체막 상부 또는 상기 제 1산화막 상부에 형성된 상부전극용 제 2도전체막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 제 1산화막이 상기 광도전체막 상부에 형성될 때 상기 제 2도전체막이 상기 제 1산화막 상부에 형성되고, 상기 제 1산화막이 상기 광도전체막 하부에 형성될 때 상기 제 2도전체막이 상기 광도전체막 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 소자
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제 6 항에 있어서, 상기 광도전체막이 상기 제 1산화막 상부에 형성될 때 상기 광도전체막과 제 2도전체막 사이에 형성된 제 2산화막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 소자
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8
제 5 항에 있어서, 상기 광도전체막과 상기 제 1산화막이 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 소자
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광도전체 물질, 산화물 및 바인더 용액을 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계;상기 혼합물을 분리하여 광도전체막과 산화막이 순차적으로 적층된 구조물을 형성하는 단계;기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 및상기 적층된 구조물을 상기 하부전극 상부에 증착하고 소결시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 광도전체 물질은 PbI2, HgI2, CdTe, CdZnTe, BiI3, CdS, CdSe, HgTe, PbS, a-Se, PbO, HgO로 구성되는 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 적층된 구조물을 형성하는 단계는 상기 혼합물을 원심분리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 광도전체막은 스크린 프린트방식 혹은 침전방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법
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