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냉음극 플라즈마를 이용한 산화 아연 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015193007
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 냉음극 플라즈마를 이용한 산화 아연 박막의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마를 발생시키기 위한 전원으로서 냉음극 변압기를 사용하는 산화 아연 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 냉음극 플라즈마를 이용한 산화 아연 박막의 제조 방법은 누설전류변압기를 이용하기 때문에 낮은 전원, 상온에서도 우수한 산화 아연 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01)
출원번호/일자 1020130022582 (2013.03.04)
출원인 인제대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1567041-0000 (2015.11.02)
공개번호/일자 10-2014-0108841 (2014.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20151109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경남 김해시 인제로 *

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박동균 대한민국 경기 수원시 영통구
2 이제원 대한민국 부산 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인제대학교 산학협력단 대한민국 경남 김해시 인제로 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0185793-56
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0207507-21
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2013-5175090-75
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0065101-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0670035-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1166156-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1166176-74
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0240715-56
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0552992-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0552991-78
12 등록결정서
Decision to grant
2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0743041-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5100061-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2017-5214791-60
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5082225-25
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149036-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판을 반응기 내부에 도입하고 산소 소스를 함께 주입한 후 전원을 인가하여 반응기 내부에 플라즈마를 형성하고 유지하는 단계;플라즈마가 유지되는 상기 반응기 내로 아연 전구체 및 모노에탄올아민를 주입하여 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및산화아연 박막이 형성된 기판을 열처리 하는 단계; 를 포함하고상기 플라즈마는 상기 반응기 내부의 냉음극 변압기 전원 소스를 이용하여 저진공에서 발생되고,상기 반응기 내부의 압력은 400 내지 1500mTorr 이고,상기 플라즈마 형성시 상기 냉음극 변압기에 인가되는 교류 전원은 60 내지 90 V 인 것인, 산화 아연 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반응기는 내부에 피처리 샘플이 수용되며 플라즈마가 형성되는 챔버;상기 챔버 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 배기부;상기 챔버 내에 고정되며 양극과 음극이 서로 대향하여 설치되는 플라즈마 발생 전극;상기 챔버 외부에 설치되며 상기 플라즈마 발생 전극에 전원을 공급하는 가변 전원 공급기;및 상기 가변 전원 공급기와 상기 플라즈마 발생 전극 사이에 설치되며, 플라즈마 전극에 인가하는 전압과 전류를 조절하는 냉음극 변압기;를 포함하는 것인 산화 아연 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 아연 전구체는 디에틸징크(DEZn) 또는 디메틸징크(DMZn)인 것인 산화 아연 박막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 아연 전구체는 상기 모노에탄올 아민과 1:1 의 부피비로 혼합되는 것인 산화 아연 박막의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 반응기 내부에는 산소 기체와 함께 비활성 기체를 더 주입하는 것인 산화 아연 박막의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 1 항 내지 제 4 항 및 제 7 항 중 어느 하나의 제조 방법에 의하여 제조된 산화 아연 박막
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 산화 아연 박막의 굴절률은 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.