1 |
1
반지름이 R1인 제 1 광흡수 나노 입자를 포함하는 제 1 광흡수층; 및 반지름이 R2인 제 2 광흡수 나노 입자를 포함하는 제 2 광흡수층; 을 구비하고, 상기 R1 및 R2가 0
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노 입자는 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, 및 Cu2ZnSnS4 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 광흡수 나노입자는 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, 및 Cu2ZnSnS4 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 광흡수층
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 광흡수층의 표면 거칠기 SR1 는 11 내지 12 nm 이고, 상기 제 2 광흡수층의 표면 거칠기 SR2 는 14 nm 내지 15 nm 인 것인 태양전지 광흡수층
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 광흡수층의 표면 거칠기 SR1 과 상기 제 2 광흡수층의 표면 거칠기 SR2 는 0
|
7 |
7
기판;상기 기판 상에 형성되는 배면전극층;상기 배면전극층 상에 형성되는 제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 및 제 6 항 중 어느 하나의 항에 의한 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 형성되는 전면전극층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 광흡수층은상기 배면전극층 상에 적층되는 상기 제 2 광흡수층; 및 상기 제 2 광흡수층 상에 형성되는 제 1 광흡수층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|