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a) 탄소수 1 내지 3의, 저비점을 갖는 알코올에 아연 전구체를 용해시켜 졸 용액을 만든 후, 상기 졸 용액을 기판위에 코팅하여 산화아연 시드층(seed layer)을 증착하는 산화아연/기판 형성 단계; b) 상기 산화아연/기판을 아연 전구체 및 아민류 화합물의 혼합 수용액에 침지시키고, 120 내지 160℃에서 5 내지 12시간 수열처리하여 산화아연 나노로드를 증착 및 성장시키는 수열합성(hydrothermal) 단계; c) 상기 산화아연 나노로드가 증착 및 성장된 산화아연/기판을 상온으로 냉각시키는 단계; 및 d) 상기 c)단계에서 제조된 산화아연 나노로드를 알곤(Ar), 질소, 불활성 기체 분위기 및 진공 중 어느 하나의 조건 하에서 300 내지 700℃로 가열하는 열처리 단계;를 포함하며,상기 a)단계에 있어서, 상기 졸 용액을 기판 상에 코팅하고, 전기로 내에서 예열시키는 예열단계; 및 상기 예열단계를 거쳐 용매가 제거된 기판을 전기로에서 후열시켜 산화 및 결정화시키는 후열단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 a)단계는 (1) 상기 알코올에 안정화제로서 모노에탄올아민을 혼합하되, 모노에탄올아민이 다음 단계에서 첨가되는 아연 전구체를 기준으로 1 : 1 몰비가 되도록 혼합하여 용매혼합물을 준비하는 용매혼합물 준비단계; (2) 상기 용매혼합물 준비단계에서 수득되는 용매혼합물에 아연 전구체를 0
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제 1항에 있어서, 상기 a)단계의 기판은 실리콘 기판, P형 실리콘 기판, Al2O3 기판, MgAl2O4 기판, GaN 버퍼층이 형성된 Al2O3 기판, 웨이퍼 기판, ITO 기판, 석영유리 기판, 플라스틱 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 a)단계 및 b)단계의 아연 전구체는 염화아연(ZnCl2), 황산아연(ZnSO4), 아연아세테이트(Zn(CH3CO2)2), 아연사이트레이트(Zn3[O2CCH2C(OH)(CO2)CH2CO2]2), 질산아연(Zn(NO3)2), 질산아연육수화물(Zn(NO3)2·6H2O) 및 아연아세테이트이수화물(Zn(OOCCH3)2·2H2O)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 b)단계의 아민류 화합물은 헥사메틸렌아민(hexamethyleneamine), 헥사메틸렌테트라아민 (hexamethylenetetramine, HMT), 사이클로헥실아민(cyclohexylamine), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine) 및 트리에탄올아민(triethanolamine)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 d)단계에서 열처리 온도가 증가함에 따라 상기 산화아연 나노로드의 표면에 형성된 나노 세공의 평균 기공 직경은 증가하고, 기공 밀도는 감소하는 것을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 1)단계의 용매로서 탄소수 1 내지 3의 저비점을 갖는 알코올은 2-메톡시알코올인 것을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 예열단계가 2 내지 7회 반복되어 수행됨을 특징으로 하는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조되는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조되는 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드를 포함하는 반도체 소자
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제 10항에 있어서,상기 반도체 소자는 수광 소자, 발광 소자, 태양 전지, 메모리 소자, FET, SAW(surface Acoustic Wave) 응용 소자, 통신용 필터소자, FED, 센서 소자, 강유전체 소자, 강자성체 소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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