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작업 전극을 포함하는 다수의 전극들을 전해 증착 반응기의 성장 용액 내에 위치시키는 단계;상기 전극들 간에 제 1 인가 전원을 제 1 인가 시간 동안 공급하고 산소/불활성 기체를 상기 전해 증착 반응기로 공급하여 상기 작업 전극상에 제 1 나노 구조체를 성장시키는 단계; 및상기 전극들 간에 상기 제 1 인가 전원과 상이한 제 2 인가 전원을 제 2 인가 시간 동안 공급하고 산소/불활성 기체를 상기 전해 증착 반응기로 공급하여 상기 작업 전극 상에 성장시킨 제 1 나노 구조체 상에 제 2 나노 구조체를 성장시키는 단계; 를 포함하고,상기 제 1 인가 전원은 -0
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제 1 항에 있어서, 상기 작업 전극은 전도성 기판으로, 투명 도전막이 형성된 투명 기판인 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 투명 기판은 유리 기판이며, 상기 투명 도전막은 ITO, IZO, ATO, ZnO, CdO, SnO2, 및 In2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 다수의 전극들은 기준 전극, 상대 전극, 작업 전극을 포함하고, 상기 기준 전극은 Ag/AgCl로 구성되며, 상기 상대 전극은 Pt, Au, Zn, 및 Ag로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 성장 용액은 금속 염을 포함하는 전해질 용액으로, 상기 금속은 아연(Zn)인 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 금속산화물 나노 구조체의 형성 방법
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제 7 항에 있어서, 나노 구조체상기 성장 용액은 0
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제 8 항에 있어서, 상기 성장 용액은 염화칼륨(KCl)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 나노 구조체를 성장시키는 단계 및 상기 제 2 나노 구조체를 성장시키는 단계는 80 내지 100 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 나노 구조체를 성장시키는 단계 이후, 250 내지 350 ℃에서 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 인가 전원을 인가한 이후제 n 번(n 은 1 이상)의 인가 전원을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 화학 증착에 의한 나노 구조체의 형성 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 및 제 7 항 내지 제 12항 중 어느 하나의 제조 방법에 의하여 제조된 나노 구조체
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 산화아연 나노 로드인 것인 나노 구조체
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제 13 항에 있어서, 상기 나노 구조체의 평균 직경은 50 내지 160 nm인 나노 구조체
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