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다결정 탄화규소 버퍼층위에 마이크로 또는 나노전자기계시스템용 질화알루미늄막 증착방법

  • 기술번호 : KST2015193363
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 탄화규소 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 질화알루미늄막 증착방법에 관한 것으로, 실리콘(Si)기판을 습식 열산화 공정을 거쳐 800 ㎚의 이산화규소(SiO2)막을 성장시키는 제1단계(S10)와; 상기 이산화규소(SiO2)막이 성장된 실리콘(Si)기판에 1100℃의 증착 온도하에서 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)법으로 300 ㎚ 두께의 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막을 증착시키는 제2단계(S20)와; 상기 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막이 증착된 실리콘(Si) 기판에 40 ㎑ 펄스 직류 마그네트론 반응성 스퍼터링 장비를 이용하여 400 ㎚ 두께를 가진 질화알루미늄(AlN) 박막을 증착시키는 제3단계(S30)를 포함한다. 따라서, 본 발명은 질화알루미늄(AlN)과의 격자 비정합(1%) 및 열팽창 계수(7%)의 차이가 상대적으로 작은 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막을 완충층으로 사용하여 특성 즉, 넓은 에너지 밴드갭과 높은 열전도도 및 열적·화학적으로 안정된 특성과 기계적 특성을 개선시키는 효과가 있다. 실리콘기판, 질화알루미늄, 이산화규소, 3C-SiC
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C23C 16/00 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01)
CPC H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01) H01L 21/02104(2013.01)
출원번호/일자 1020080031629 (2008.04.04)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0106112 (2009.10.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이풍우 대한민국 서울특별시 강남구 양재대로 **길** *층(일원동)(특허법인 대한(양재분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0245941-41
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2008.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-5018188-47
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-5018697-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5134663-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0023216-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0078502-43
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0263126-27
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0395205-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다결정 탄화규소 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 질화알루미늄막 증착방법에 있어서, 실리콘(Si)기판을 습식 열산화 공정을 거쳐 800 ㎚의 이산화규소(SiO2)막을 성장시키는 제1단계(S10)와; 상기 이산화규소(SiO2)막이 성장된 실리콘(Si)기판에 1100℃의 증착 온도하에서 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)법으로 300 ㎚ 두께의 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막을 증착시키는 제2단계(S20)와; 상기 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막이 증착된 실리콘(Si) 기판에 40 ㎑ 펄스 직류 마그네트론 반응성 스퍼터링 장비를 이용하여 400 ㎚ 두께를 가진 질화알루미늄(AlN) 박막을 증착시키는 제3단계(S30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 탄화규소 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 질화알루미늄막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계(S20)의 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)에 사용되는 캐리어 가스는 아르곤(Ar)과 수소(H2)를 각각 10 slm과 1 slm를 혼합하여 사용하며, 1100℃로 가열되어 온도가 안정된 상태에서 1sccm의 헥사메틸다이사이레인(HMDS; Hexamethyldisilane) 전구체를 주입하여 약 30분 동안 성장시키면서 300 ㎚ 두께의 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 다결정 탄화규소 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 질화알루미늄막 증착방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계(S30)는 스퍼터링 챔버 내부에 다결정 탄화규소(3C-SiC) 박막이 증착된 기판을 고정시킨 상태에서 Al 금속타겟과 N2가스를 주입시키고, 상기 주입된 N2가스 이온이 Al 금속타겟과 충돌되면서 Al 원자가 방출되며, 상기 방출된 Al 원자가 N과 결합되면서 상기 다결정 탄화규소(3C-SiC) 표면에 증착되어, 질화알루미늄(AlN) 박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 다결정 탄화규소 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 질화알루미늄막 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.