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쇼트키 다이오드 제조방법 및 그 쇼트키 다이오드

  • 기술번호 : KST2015193396
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 쇼트키 다이오드 제조방법 및 그 쇼트키 다이오드가 제공된다. 본 쇼트키 다이오드의 제조방법은, 기판 위에 대기압 고온 화학기상증착(APCVD) 방법으로 다결정 3C-SiC 막을 증착시키는 제1 공정, 상기 다결정 3C-SiC 막상에 RF 스퍼터링을 이용하여 금속막을 증착시키는 단계를 포함한다. 이로 인해, 본 쇼트키 다이오드는 고온, 고압에서도 동작할 수 있다. 쇼트키 다이오드, 수소센서, 기판, 3C-SiC, 다결정
Int. CL H01L 29/872 (2006.01)
CPC H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01)
출원번호/일자 1020090040180 (2009.05.08)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1093068-0000 (2011.12.06)
공개번호/일자 10-2010-0036160 (2010.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20111213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080095494   |   2008.09.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0277057-23
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0524684-28
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0041404-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0041403-64
5 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0227780-68
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0359839-16
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.08.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0030937-60
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0508891-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
쇼트키 다이오드 제조방법에 있어서, 기판 위에 대기압 고온 화학기상증착(APCVD) 방법으로 다결정 3C-SiC 막을 증착시키는 제1 공정; 및 상기 다결정 3C-SiC 막상에 RF 스퍼터링을 이용하여 금속막을 증착시키는 제2 공정;를 포함하고, 상기 제1 공정은, 상기 기판상에 산화막을 증착시키는 단계; 및 상기 산화막상에 HDMS 가스를 이용하여 상기 대기압 고온 화학기상증착(APCVD) 방법으로 상기 다결정 3C-SiC 막을 증착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제2 공정은 상기 산화막상의 제1 영역에 상기 RF 스퍼터링(Radio Frequency sputtering)을 이용하여 Ni 막을 증착시키는 단계; 및 상기 산화막의 제2 영역에 상기 RF 스퍼터링을 이용하여 Pd 막을 증착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 Ni 막을 증착시키는 단계는, 상기 Ni 막을 증착시킨 후 상기 Ni 막을 800℃ 내지 1000℃의 온도로 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 Ni 막과 상기 Pd 막은 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드 제조방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 Ni 막의 일부는 상기 Pd 막의 일부를 둘러쌓는 형상인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드 제조방법
7 7
기판; 상기 기판상에 배치된 산화막; 상기 산화막상에 배치된 다결정 3C-SiC 막; 상기 다결정 3C-SiC 막상에 배치된 두 종류의 서로 다른 금속막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
8 8
제 7항에 있어서, 상기 산화막상의 제1 영역에 Ni 막이 배치되고, 상기 산화막상의 제2 영역에 Pd 막이 배치되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
9 9
제 8항에 있어서, 상기 Ni막은 상기 Pd 막과 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
10 10
제 8항에 있어서, 상기 Ni막의 일부는 상기 Pd 막의 일부를 둘러쌓는 형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 한국산업기술평가원 지방기술혁신사업 컨테이너화물 안전수송용 센서노드 기술개발