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기판 위에 다결정 3C-SiC 막을 성장하는 제1공정;
상기 다결정 3C-SiC 막 상에 질화알루미늄 막을 증착시키는 제2공정; 및
상기 질화알루미늄 막 상에 패턴을 형성하는 제3공정;을 포함하는 것을 특징로 하는 마이크로 히터 제조방법
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2
제 1항에 있어서,
상기 제3 공정은,
상기 질화알루미늄 막 상에 스퍼터링 방법으로 백금 박막을 증착하는 단계; 및
상기 백금 박막에 리프트 오프(lift off)공정을 이용하여 백금 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 제조방법
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3
제 2항에 있어서,
상기 제3 공정은,
상기 질화알루미늄 막 상에 상기 백금 박막을 0
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4
제 1항에 있어서,
상기 제1 공정은,
상기 기판상에 산화막을 증착시키는 단계; 및
상기 산화막상에 HDMS 가스를 이용하여 대기압 고온 화학기상증착(APCVD) 방법으로 상기 다결정 3C-SiC 막을 증착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 제조방법
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5
제 1항에 있어서,
상기 제2 공정은,
상기 질화알루미늄 막 상에 리소그래피 기법으로 포토 레지스트를 마스킹하는 단계;를 포함하고,
상기 제3 공정은,
상기 마스킹된 포토 레지스트 상에 리프트 오프(Lift off) 공정으로 백금 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 제조방법
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6
제 1항에 있어서,
상기 제2 공정은,
상기 다결정 3C-SiC 막 상에 질화알루미늄 막을 RF 마그네트론 스퍼터링(Radio Frequency magnetron sputtering) 방법으로 증착시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터 제조방법
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7
제 1항에 있어서,
상기 제2 공정은,
상기 다결정 3C-SiC 막 상에 질화알루미늄 막을 0
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8
기판;
상기 기판 위에 배치된 다결정 3C-SiC 막;
상기 다결정 3C-SiC 막 상에 배치된 질화알루미늄 막; 및
상기 질화알루미늄 막 상에 배치된 백금 박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터
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9
제 1항에 있어서,
상기 백금 박막은, 상기 질화알루미늄 막 상에 스퍼터링 방법으로 증착되고, 상기 백금 박막 상에 리프트 오프(lift off)공정으로 백금 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터
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10
제 8항에 있어서,
상기 기판 위에 배치된 산화막;을 더 포함하고,
상기 산화막 상에 HDMS 가스를 이용하여 대기압 고온 화학기상증착(APCVD) 방법을 통해 상기 산화막 위에 상기 다결정 3C-SiC 막이 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로 히터
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