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전계방출 냉각기

  • 기술번호 : KST2015193448
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계방출 냉각기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 물질로 이루어진 음극; 상기 음극의 일면에 접촉되는 열전물질; 및 상기 음극과 소정 간격으로 이격되어 배치되는 양극을 포함하고, 상기 음극과 양극 사이에 가해지는 외부 전위차에 의하여 음극에서 일어나는 전계방출에 의하여 냉각효과가 나타나는 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전계방출 냉각기는 단지 전위를 반도체 표면에 가함으로써 일어나는 전계방출을 이용하여 물체를 손쉽게 냉각시킬 수 있어 저에너지를 사용하면서도 높은 냉각효율을 가져올 수 있고, 소형이며, 또한 공해물질을 전혀 사용하지 않아 친환경적이다.
Int. CL H01J 1/308 (2006.01)
CPC H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01)
출원번호/일자 1020100009060 (2010.02.01)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0089591 (2011.08.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정문성 대한민국 울산광역시 중구
2 배재석 대한민국 울산광역시 중구
3 구자훈 대한민국 울산광역시 중구
4 이민재 대한민국 경상북도 경주시 한

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0069706-03
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0067619-82
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0144000-40
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0164178-15
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0023285-73
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415164-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0741066-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0903509-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0299074-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 물질로 이루어진 음극;상기 음극의 일면에 접촉되는 열전물질; 및상기 음극과 소정 간격으로 이격되어 배치되는 양극을 포함하고,상기 음극과 양극 사이는 진공으로 유지되며,상기 음극과 양극 사이에 가해지는 외부 전위차에 따른 상기 음극의 전계방출에 의하여 냉각효과가 나타나는 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
2 2
제1항에 있어서,상기 음극은 Si, GaN, SiC, PbTe 및 Bi2Te3 으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
3 3
제1항에 있어서,상기 음극의 두께는 0
4 4
제1항에 있어서,상기 열전물질은 PbTe, Bi2Te3, BiSb, SiGe 및 ZnSb 으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
5 5
제1항에 있어서,상기 반도체 물질의 운반자 농도(n)는 1018 ~ 1020 /cm3 인 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
6 6
제1항에 있어서,상기 전위차를 부과하기 위하여 가하는 국지전계(F)는 0
7 7
반도체 물질로 이루어진 음극; 및상기 음극과 소정 간격으로 이격되어 배치되는 양극을 포함하고,상기 음극과 양극 사이는 진공으로 유지되며,상기 음극과 양극 사이에 가해지는 외부 전위차에 따른 상기 음극의 전계방출에 의하여 냉각효과가 나타나는 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
8 8
제7항에 있어서,상기 음극은 PbTe 또는 Bi2Te3 인 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
9 9
제7항에 있어서,상기 반도체 물질의 운반자 농도(n)는 1018 ~ 1020 /cm3 인 것을 특징으로 하는 전계방출 냉각기
10 10
제7항에 있어서,상기 전위차를 부과하기 위하여 가하는 국지전계(F)는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 울산대학교산학협력단 핵심연구지원사업 삼중접합 전계방출의 증진특성과 냉각현상