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플라즈마를 이용하여 건식 세정을 수행하기 위한 반도체 소자의 표면 처리 방법에 있어서,플라즈마 발생장치에 수소(H2) 및 사일렌(SiH2)계 물질을 포함하는 공정가스를 유입하여 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 발생된 플라즈마에 의해 활성화된 사일렌계 라디칼(Radical)을 이용하여 반도체 소자의 실리콘 기판 표면을 건식 세정하는 단계;를 포함하고,상기 플라즈마 발생 장치에서 상기 플라즈마를 발생시키기 위한 전력은 500 Watt ~ 5000 Watt의 범위이고,상기 수소에 대한 상기 사일렌계 물질의 비율은 0% 초과 5% 이하이고,100 mTorr ~ 1000 mTorr 범위의 공정 압력이 적용되고,상기 실리콘 기판의 온도는 200°C ~ 800 °C 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 기판 표면을 건식 세정하는 단계는,상기 실리콘 기판 표면 상에 형성된 폴리머층, 불순물막 및 원치 않는 실리콘 산화막 중 적어도 하나를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 건식 세정된 실리콘 기판 표면 상에 전도성 물질을 도포하는 단계;를 더 포함하며, 상기 전도성 물질은 폴리 실리콘 또는 실리콘 게르마늄 또는 에피 실리콘 또는 에피 실리콘 게르마늄 또는 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 수소(H2) 및 사일렌(SiH2)계 물질은,독립적으로 유입되거나, 미리 혼합된 혼합 가스 형태로 유입되거나, 유입 전에 혼합기를 이용하여 혼합된 상태로 유입되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 플라즈마를 발생시키기 위한 방식으로 ICP, CCP, 및 Microwave Type 중 적어도 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 사일렌계 물질은, SiH4, Si2H6 및 Si3H8 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,HF, BOE, H2SO4 및 H2O2 중 적어도 하나를 사용하여 상기 실리콘 기판 표면을 습식 세정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치는,CCP, ICP, Microwave, ECR Type, TCP, Helical, Helicon, Multi Rotational Coli 안테나 중 적어도 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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제12항에 있어서,상기 적어도 하나의 안테나로 구현되는 플라즈마 발생 장치는,전자석을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 방법
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플라즈마를 이용하여 건식세정을 수행하는 반도체 소자의 표면 처리 장치에 있어서,실리콘 기판을 적재하는 기판 적재부;진공 유지가 가능한 챔버부;수소(H2) 및 사일렌(SiH2) 계 물질을 포함하는 공정가스를 상기 챔버부 내로 유입시키는 공정가스 유입부; 및상기 유입된 공정가스를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 상기 플라즈마에 의해 활성화된 사일렌계 라디칼을 이용하여 상기 실리콘 기판의 표면이 건식세정되도록 하는 플라즈마 생성부;를 포함하고,상기 플라즈마 생성부에 인가되는 전력은 500 Watt ~ 5000 Watt의 범위이고,상기 수소에 대한 상기 사일렌계 물질의 비율은 0% 초과 5% 이하이고,상기 챔버부의 압력은 100 mTorr ~ 1000 mTorr 범위이고,상기 기판 적재부의 온도는 200°C ~ 800°C 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 장치
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제14항에 있어서,상기 플라즈마 생성부에 의해 생성된 플라즈마 중 라디칼을 상기 실리콘 기판 쪽으로 통과시키는 여과부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 표면 처리 장치
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