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ZnO:Al을 타겟으로 이용하여 증착을 진행하는 동시에 전자-빔을 조사하여 AZO 박막을 기판 상에 증착하는 단계를 포함하는 전자-빔을 이용한 알루미늄이 첨가된 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ZnO:Al 타겟은 알루미늄이 1 ~ 10 중량%, ZnO가 90 ~ 99 중량%로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 전자-빔을 이용한 알루미늄이 첨가된 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AZO 박막을 기판 상에 증착하는 단계는 RF 마그네트론 스퍼터링법, DC 마그네트론 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Depositon; PLD) 및 이온-플레이팅 증착법 중 선택된 어느 하나의 방법을 수행하여 AZO 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 전자-빔을 이용한 알루미늄이 첨가된 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 타겟에 인가하는 RF 파워는 3 ~ 5 W/cm2인 것을 특징으로 하는 전자-빔을 이용한 알루미늄이 첨가된 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 AZO의 증착율은 9 ~ 11 nm/min인 것을 특징으로 하는 전자-빔을 이용한 알루미늄이 첨가된 산화아연 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전자-빔은 300 ~ 450W, 450 ~ 900eV인 조건에서 가속되는 것을 특징으로 하는 전자-빔을 이용한 알루미늄이 첨가된 산화아연 박막의 제조방법
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7
(a) ZnO:Al을 타겟으로 이용하여 증착을 진행하는 동시에 전자-빔을 조사하여 제1 AZO 박막을 기판 상에 증착하는 단계; (b) 상기 제1 AZO 박막 상에 P-I-N층을 순서대로 증착하여 비정질 실리콘층(a-Si:H)을 형성하는 단계; (c) 상기 비정질 실리콘층(a-Si:H) 상에 제2 AZO 박막을 증착하는 단계; 및 (d) 상기 제2 AZO 박막 상에 은(Ag) 전극을 증착하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 AZO 박막의 두께는 70 ~ 150nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (a)단계 및 (c)단계에서 AZO 박막의 증착은 RF 마그네트론 스퍼터링법, DC 마그네트론 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Depositon; PLD) 및 이온-플레이팅 증착법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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10
제7항에 있어서,상기 (a)단계에서 타겟에 인가하는 RF 파워는 3 ~ 5 W/cm2인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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11
제7항에 있어서,상기 (a)단계에서 전자-빔은 300 ~ 450W, 450 ~ 900eV인 조건에서 가속되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 P-I-N층은 RF 10 ~ 16 MHz의 주파수에서 PECVD법을 사용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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13
제7항에 있어서,상기 P층은 15 ~ 25nm, 상기 I층은 150 ~ 250nm, 상기 N층은 25 ~ 35nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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