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가스 센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015193506
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 센서는 다공성 실리콘 카바이드층을 포함한다. 즉, 넓은 활성 표면적을 갖는 다공성 물질을 사용함으로써, 높은 민감도를 가져서 가스를 센싱하는 능력을 증가시킬 수 있다. 또한, 넓은-밴드 갭 에너지를 갖고, 고온에서 최상의 화학적, 열적 및 기계적 성질을 갖고, 기계적인 스트레스 및 부식 환경에서도 견딜 수 있는 실리콘 카바이드(SiC)를 사용함으로써, 수소 가스를 검출하는 능력을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020110026363 (2011.03.24)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1442888-0000 (2014.09.15)
공개번호/일자 10-2012-0108469 (2012.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산광역시 울주군
2 김강산 대한민국 울산광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 울산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0216137-73
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0010070-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.01.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0017235-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0367476-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0679225-43
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0679223-52
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0804719-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0049816-07
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0049817-42
13 보정요구서
Request for Amendment
2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0009910-57
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0080144-06
15 보정요구서
Request for Amendment
2014.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0017312-07
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0145105-83
17 등록결정서
Decision to grant
2014.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0414796-80
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층; 및상기 기판의 하면 및 상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 형성된 전극들을 포함하고,상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에서 기공의 크기는 전류 밀도에 의해 조절되는 것이고, 상기 전류 밀도는 4
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 p-형 실리콘을 포함하는 가스 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 증착되는 금속 촉매층을 더 포함하고,상기 금속 촉매는 Pd, Pt 및 Au로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 가스 센서
4 4
제3항에 있어서,상기 금속 촉매층에 포함되는 금속 촉매는 Pd 및 Au인 가스 센서
5 5
제3항에 있어서,상기 금속 촉매층에 포함되는 금속 촉매는 Pd 및 Pt인 가스 센서
6 6
삭제
7 7
기판;상기 기판상에 형성된 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층; 및상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 형성된 전극들을 포함하고,상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에서 기공의 크기는 전류 밀도에 의해 조절되는 것이고, 상기 전류 밀도는 4
8 8
제7항에 있어서,상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 증착되는 금속 촉매층을 더 포함하고,상기 금속 촉매는 Pd 및 Pt로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 가스 센서
9 9
삭제
10 10
양극산화에 의해 기판상에 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층을 형성하는 단계;상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에 금속 촉매를 증착시키는 단계; 및상기 기판의 하면 및 상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 전극들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에서 기공의 크기는 전류 밀도에 의해 조절되는 것이고, 상기 전류 밀도는 4
11 11
제10항에 있어서,상기 금속 촉매는 Pd, Pt 및 Au로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 가스 센서의 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 양극산화는 HF:C2H5OH = 1:2인 용액에서 수행되는 가스 센서의 제조방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
양극산화에 의해 기판상에 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층을 형성하는 단계;상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에 금속 촉매를 증착시키는 단계; 및상기 금속 촉매가 증착된 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층 상에 전극들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다공성 3C-SiC 입방형 실리콘 카바이드층에서 기공의 크기는 전류 밀도에 의해 조절되는 것이고, 상기 전류 밀도는 4
17 17
제16항에 있어서,상기 금속 촉매는 Pd 및 Pt로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 가스 센서의 제조방법
18 18
삭제
19 19
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 실리콘 카바이드 기반 고성능 수소센서류 개발