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음극아크증착을 이용한 초고경도 티아이에이엘에스아이엔박막 증착방법

  • 기술번호 : KST2015193527
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 음극아크증착을 이용한 초고경도 TiAlSiN 박막 증착방법에 관한 것으로, Ti 타겟과, AlSi 타겟을 아크소스에 설치하거나, TiAlSi 복합타겟을 아크소스에 설치하여 질소 가스를 주입하면서 아크방전을 유기하여 플라즈마를 형성하여 피처리물의 표면에 TiAlSiN 코팅층을 형성하도록 함으로써 초고경도의 절삭공구를 제조하는 음극아크증착을 이용한 초고경도 TiAlSiN 박막 증착방법을 제공함에 그 목적이 있다.본 발명은 음극아크증착을 이용한 초고경도 TiAlSiN 박막 증착을 위한 음극아크 증착공정은 크게 Ti타겟과 AlSi 타겟 혹은 TiAlSi 타겟을 설치하는 타겟설치과정과; 상기 타겟들 및 피처리물이 설치된 챔버 내부의 진공도를 10-5∼10-7 Torr로 낮춰 상기 챔버 내부의 공기를 제거하는 과정과; 상기 챔버로 불활성 가스를 주입하여 상기 챔버 내부의 진공도를 10-1∼10-3 Torr로 세팅하여 피처리물 표면을 세정하는 플라즈마 클리닝 과정과; 질소를 챔버에 유입시킨 후 아크소스에 전류를 인가하여 플라즈마를 형성하고 바이어스 전압을 인가하여 TiAlSiN 층을 형성하는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명을 적용하면, Ti 타겟에 인가되는 코팅전위는 18V이며, 코팅전류는 45A이고, AlSi 타겟에 인가하는 코팅전위는 19V이고, 코팅전류는 35A가 되도록 하여 음극 아크증착을 실시한 결과, 초고경도의 코팅박막을 얻게 되었다는 잇점이 있다.
Int. CL C23C 14/24 (2006.01)
CPC C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01)
출원번호/일자 1020050031701 (2005.04.16)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0659743-0000 (2006.12.13)
공개번호/일자 10-2005-0069940 (2005.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20061220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선규 대한민국 울산 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영순 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 *** (역삼동, 성지하이츠*오피스텔 **층**호)(대유국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0198618-13
2 수수료 등의 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.
2005.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0023742-01
3 보정요구서
Request for Amendment
2005.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0023741-55
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0272511-41
5 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2005.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5065221-44
6 수수료 등의 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee, etc.
2005.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0035022-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0331863-06
8 의견서
Written Opinion
2006.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0513855-18
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0513883-86
10 등록결정서
Decision to grant
2006.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0654690-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5134663-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
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번호 청구항
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음극아크증착을 이용한 초고경도 TiAlSiN 박막 증착을 위한 음극아크 증착공정은 크게 Ti타겟과 AlSi 타겟을 설치하는 타겟설치과정과; 상기 타겟들 및 피처리물이 설치된 챔버 내부의 진공도를 10-5~10-7 Torr로 낮춰 상기 챔버 내부의 공기를 제거하는 과정과; 상기 챔버로 불활성 가스를 주입하여 상기 챔버 내부의 진공도를 10-1~10-3 Torr로 세팅하여 피처리물 표면을 세정하는 플라즈마 클리닝 과정과; 질소를 챔버에 유입시킨 후, 상기 Ti 타겟에 공급되는 전위 및 전류는 14~22V, 35~55A 이며, AlSi 타겟에 공급되는 전위 및 전류는 15~23V, 25~55A의 전류를 인가하여 플라즈마를 형성하고 바이어스 전압을 인가하고, 상기 Ti 타겟 및 AlSi 타겟의 피처리물에 대한 증착온도는 200~450℃로 유지시킴으로써, TiAlSiN 층을 형성하는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 음극아크증착을 이용한 초고경도 TiAlSiN 박막 증착방법
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 클리닝 과정은 에칭전위는 310∼320V, 에칭전류는 0
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4 4
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.