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미세소자의 변형을 측정하는 장치에 있어서,광원을 갖는 레이저와, 상기 레이저로부터 방출된 빛을 집광하는 제 1 렌즈와, 상기 제 1 렌즈에 연결되어 상기 제 1 렌즈로부터 집광된 빛을 전달받아 마이크로 단위의 빛으로 집속시키는 광섬유체와, 상기 광섬유체의 하단에 연결되어 상기 광섬유체로부터 집속된 빛을 전달받아 외부로 방출하는 제 2 렌즈를 구비하는 빛집광기; 및상기 빛집광기로부터 방출된 빛이 상기 미세소자에 닿아 반사되면 반사된 빛이 미세소자의 굴곡에 따라 다른 경로차로 입사되는 스크린을 포함하되, 상기 스크린에 빛이 입사된 지점과 지면과의 거리를 측정하여 측정값에 의해 삼각형의 닮음 조건을 이용하여 상기 미세소자의 변형된 두께를 계산하는 삼각형의 닮음 조건을 이용한 미세소자의 변형 측정 장치
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청구항 1에 있어서,상기 빛집광기의 일단을 고정하되, 상기 빛집광기를 상하로 회전 가능하도록 가이드홀이 형성된 고정수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼각형의 닮음 조건을 이용한 미세소자의 변형 측정 장치
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 빛집광기는 빛을 외부로 방출하는 렌즈와, 이 렌즈를 보호하도록 렌즈를 덮는 렌즈캡과, 레이저를 구비한 원통과, 상기 렌즈와 상기 원통 간 고정결합되는 연결간을 구비하되, 상기 원통의 일측면과 이 일측면에 대응하는 타측면에 제 1 관통홀이 형성되며,상기 고정수단은 일단에 상기 제 1 관통홀에 대응되는 제 2 관통홀이 형성되어 나사에 의해 상기 제 1 관통홀과 상기 제 2 관통홀을 관통하여 나사결합되며, 타단에 하나의 제 1 힌지홀이 더 형성되며, 상기 제 2 관통홀과 상기 제 1 힌지홀 사이의 어느 지점에 하나의 홀이 더 형성된 힌지부재;일단에 상기 제 1 힌지홀에 대응하는 제 2 힌지홀이 형성되어 힌지나사에 의해 힌지결합되며, 타단이 굽힘 가공되어 마련된 고정부재; 및일단이 원호형상으로 마련되어 이 원호 형상의 일단 외주면을 따라 각도 눈금이 형성되며, 상기 힌지부재의 일측에 나란하게 마련되어 상기 힌지부재에 형성된 홀에 나사결합되되 나사결합되는 지점으로부터 상기 각도 눈금이 형성된 외주면과 대응되도록 원호 형상의 가이드홀이 형성되어 상기 힌지부재를 상하로 회전 가능하도록 가이드하는 각도부와, 상부의 사방에 고정홀이 형성되어 이 고정홀에 나사에 의해 상자에 나사결합되며, 상기 각도부에 직각 형상으로 굽힘 가공되어 상기 고정부재의 굽힘 가공된 일측과 상자에 나사에 의해 나사결합되는 지지부를 구비하는 지지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼각형의 닮음 조건을 이용한 미세소자의 변형 측정 장치
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청구항 1에 있어서,상기 빛집광기로부터 방출된 빛에 의해 상기 미세소자 표면의 굴곡에 따라 반사된 빛이 상기 스크린에 입사된 지점과 지면과의 수직 거리(h2)를 측정하며, 상기 미세소자의 길이(2d1)를 측정하며, 상기 미세소자가 위치한 지점과 상기 스크린과의 수평 거리에 상기 미세소자의 길이(2d1)를 더한 거리(d2)를 측정하며, 상기 미세소자의 변형된 두께(h1)는 삼각형의 닮음 조건을 이용하여 d1과 h2를 곱한 값을 d2로 나눈 값으로 계산하며,이 계산값을 이용하여 상기 미세소자의 영률(Young's modulus), 응력, 장력 중 어느 하나 이상을 계산하는 것을 특징으로 하는 삼각형의 닮음 조건을 이용한 미세소자의 변형 측정 장치
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미세소자의 변형을 측정하는 방법에 있어서,(a) 상기 미세소자를 평평한 지면에 위치시키고, 레이저를 방출하는 빛집광기로부터 빛을 방출하여 상기 미세소자에 입사시키면 상기 미세소자에 입사된 빛이 반사되어 반사된 빛이 스크린에 입사되는 단계;(b) 상기 미세소자의 길이(2d1)를 측정하며, 상기 미세소자의 길이(2d1)에 상기 미세소자가 위치한 지점과 상기 스크린이 위치한 지점간 수평 거리를 더한 거리(d2)를 측정하며, 상기 반사된 빛이 상기 스크린에 입사된 지점과 지면의 수직 거리(h2)를 측정하는 단계; 및(c) 상기 측정값에 따라 삼각형의 닮음 조건을 이용하여 미세소자의 변형된 두께(h1)는 상기 측정값인 d1과 h2를 곱한 값을 d2로 나눈 값으로 계산하며, 이 계산값에 의해 미세소자의 변형된 두께를 판단하는 단계를 포함하는 삼각형의 닮음조건을 이용한 미세소자의 변형 측정 방법
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청구항 5에 있어서,상기 미세소자를 상기 (a)단계의 지면에 위치시키되, 상기 미세소자의 변형 정도에 따른 반사율의 차이에 의해 상기 (b)단계의 h2의 측정값이 달라지며, 이 측정값의 차이에 의해 상기 (c)단계의 h1의 계산값이 달라짐을 이용해서 미세소자의 변형 정도를 비교 판단하며,상기 h1의 계산값을 이용하여 상기 미세소자의 영률(Young's modulus), 응력, 장력 중 어느 하나 이상을 계산하는 것을 특징으로 하는 삼각형의 닮음조건을 이용한 미세소자의 변형 측정 방법
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