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기판 상에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 제1 3C-SiC(Cubic Silicon Carbide) 박막을 형성하는 단계;상기 제1 3C-SiC 박막 상에 절연층을 형성하고 소정 형태로 패터닝하여, 제1 지지영역 및 제2 지지영역으로 구분되는 지지부를 형성하는 단계; 및상기 지지부 상에 제2 3C-SiC 박막을 형성하고 소정 형태로 패터닝하여, 상기 제1 지지영역 상의 패드부 및 상기 제2 지지영역 상의 히팅부를 제작하는 단계;를 포함하는 히터 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 히팅부 및 상기 패드부 하측에 위치한 산화막의 적어도 일부를 식각하여 공동부를 마련하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 절연층은 AlN(Aluminum Nitride)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 히터 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 지지부를 형성하는 단계 및 상기 히팅부를 제작하는 단의 패터닝은,Al(Aluminum)을 식각 마스크로 이용하는 것을 특징으로 하는 히터 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 히팅부를 제작하는 단계 이후에,상기 제2 3C-SiC 박막을 패터닝하여 상기 패드부 및 상기 히팅부와 함께 온도 센서를 제작하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 제작 방법
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제5항에 있어서,상기 온도 센서는,박막형 RTD(Resistance of temperature detector)인 것을 특징으로 하는 히터 제작 방법
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기판;상기 기판 상에서 제1 지지영역 및 제2 지지영역으로 구분되어 형성되며, 제1 3C-SiC 박막으로 이루어진 지지부; 상기 기판 상부의 일 영역 상에 형성되는 공동부; 및상기 제1 지지영역 상에 형성되며, 제2 3C-SiC 박막으로 이루어진 히팅부;를 포함하는 히터
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제7항에 있어서,상기 제2 지지영역 상에 형성되며, 상기 제2 3C-SiC 박막으로 이루어진 패드부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터
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제7항에 있어서,상기 지지부는,상기 기판 상에 형성된 제1 3C-SiC 박막 및 상기 제1 3C-SiC 박막 상에 형성된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터
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제7항에 있어서,상기 히팅부와 동일한 층 상에 마련되며, 상기 제2 3C-SiC 박막으로 이루어진 박막형 RTD(Resistance of temperature detector);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터
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