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초임계이산화탄소 내에서 공용매 및 첨가제를 사용하여 기판으로부터 고이온주입된 포토레지스트를 제거하는 방법에 있어서, (1) 반응용기에 고이온주입된 포토레지스트를 가지는 웨이퍼를 장착하는 단계; (2) 상기 반응용기에 30 내지 150 ℃의 온도와 2000 내지 5000 psi의 압력의 이산화탄소, 공용매, 및 첨가제를 첨가하여 상기의 웨이퍼에 접촉시켜 고이온주입된 포토레지스트를 제거하는 단계; (3) 상기 반응용기로부터 이산화탄소와 공용매 및 첨가제를 분리하는 단계; (4) 순수한 초임계이산화탄소를 사용하여 웨이퍼 상부를 헹구는 단계; (5) 상기 고압의 반응용기로부터 순수한 초임계이산화탄소를 제거하고, 고이온주입된 포토레지스트가 제거된 웨이퍼를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 제거 방법
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제1항에 있어서, 공용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 벤조일알코올을 포함하는 알코올류, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민, 트리에탄올아민, 카본테트라클로라이드, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라하이드로퓨란 등의 물질에서 1종 단독물이나 또는 2종 이상의 혼합물로 사용되는 것을 특징으로 하는 제거 방법
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제1항에 있어서, 첨가제는 테트라알킬암모늄하이드록사이드, 포르말린, 포름산, 아세트산, 인산, 황산 등의 물질에서 1종 단독물이나 또는 2종 이상의 혼합물로 사용되는 것을 특징으로 하는 제거 방법
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제1항에 있어서, 기판은 반도체 웨이퍼, 알루미늄-알루미늄 산화막 기판, 갈륨 비소 기판, 세라믹 기판, 구리 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 제거 방법
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제1항에 있어서, 사용되는 초임계이산화탄소 함량은 60 내지 95 중량%, 공용매의 함량은 4 내지 30 중량%, 첨가제의 함량은 1 내지 10 중량% 범위인 것을 특징으로 하는 제거 방법
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제1항에 있어서, 웨이퍼를 100 내지 10000 RPM으로 회전시켜 초임계이산화탄소와의 접촉효과를 상승시키는 것을 특징으로 하는 제거 방법
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제 1항에 있어서, 초임계 이산화탄소 내에서 공용매 및 첨가제를 사용한 포토레지스트의 제거효율은 공용매와 첨가제의 종류 및 농도의 변화, 온도, 압력 및 접촉시간의 변화에 따라서 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 제거 방법
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