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구조체를 형성하기 위해 반도체 기판을 외부에서 공정 챔버 내로 공급하는 단계(S10)와, 상기 공정 챔버 내로 고밀도 이산화탄소를 공급하고 식각 시약을 주입하여 희생막을 식각하는 단계(S20)와, 식각이 종료되면 순수 고밀도 이산화탄소로써 공정 챔버 내의 유체를 제거하는 단계(S30) 및, 상기 공정 챔버 내부를 감압함으로써 기판을 건조시키는 단계(S40)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 구조체는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 미소 구조체, NEMS(Nano Electro Mechanical System) 미소 구조체, 및 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 소자의 셀 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 식각 시약은 탈이온화된 물을 반드시 포함하는 조용매와 불소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 불소 화합물은 불산(Hydrofluoric Acid, HF), 플루오르화 수소 에테르(Hydro Fluoro Ether, HFE), Poly-4-vinylpyridinium poly(hydrogen fluoride), Hydrogen fluoride 2,4,6-trimethylpyridine 및 플루오르화 암모늄(Ammonium Fluoride, NH4F) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 탈이온화된 물은 이산화탄소 용매의 0
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청구항 3에 있어서, 상기 조용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올(IPA), 부탄올 중 한 가지인 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 식각 시약은 0
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청구항 1에 있어서, 상기 고밀도 이산화탄소는 20℃ 내지 100℃ 의 온도 범위 및 800psi 내지 5000psi의 압력 범위에서 액체 이산화탄소와 초임계 이산화탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 희생막은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, PSG(Phospho Silicate Glass)막, BSG(Boro Silicate Glass)막, BPSG(Boro Phospho Silicate Glass)막 및 열산화 SiO2 막(Thermal SiO2) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법
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실리콘 산화막이 형성된 반도체 기판이 로딩되는 공정 챔버(20)와, 상기 공정 챔버에 식각 시약을 공급하기 위한 식각 시약 저장탱크(22)와, 상기 식각 시약을 상기 공정 챔버로 주입하기 위한 주입 펌프(24)와, 이산화탄소를 제공하는 이산화탄소 저장탱크(26)와, 상기 이산화탄소를 가압하여 고밀도 이산화탄소로 만들어 상기 챔버(20)로 공급하는 ISCO 실린지 펌프(28)와, 식각에 사용된 용액을 상기 공정 챔버(20)로부터 배출시키는 배출부(30) 및, 공정 챔버 내의 온도를 제어하고 교반을 조절하는 조정장치(32)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 시스템
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청구항 10에 있어서, 상기 식각 시약은 탈이온화된 물을 반드시 포함하는 조용매와 불소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 시스템
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청구항 11에 있어서, 상기 불소 화합물은 불산(Hydrofluoric Acid, HF), 플루오르화 수소 에테르(Hydro Fluoro Ether, HFE), Poly-4-vinylpyridinium poly(hydrogen fluoride), Hydrogen fluoride 2,4,6-trimethylpyridine 및 플루오르화 암모늄(Ammonium Fluoride, NH4F) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 시스템
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청구항 11에 있어서, 상기 탈이온화된 물은 이산화탄소 용매의 0
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청구항 11에 있어서, 상기 조용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올(IPA), 부탄올 중 한 가지인 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 시스템
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청구항 10에 있어서, 상기 식각 시약은 0
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청구항 10에 있어서, 상기 고밀도 이산화탄소는 20℃ 내지 100℃ 의 온도 범위 및 800psi 내지 5000psi의 압력 범위에서 액체 이산화탄소와 초임계 이산화탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 시스템
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