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기판 상에 금속촉매층을 형성하고; 상기 금속촉매층 상에 그래핀층을 형성하고; 및,상기 그래핀층 상에 금속촉매층 및 그래핀층을 서로 교대로 다수층으로 적층하여 형성하는 것: 을 포함하는, 그래핀 배선 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매층은 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 스퍼터링(sputtering), 열증착(thermal evaporation), 전자빔 증착(e-beam evaporation), 분자빔 증착(molecular beam epitaxy; MBE), 펄스레이저증착(pulsed laser deposition; PLD), 화학기상증착(chemical vapour deposition; CVD), 졸겔(Sol-Gel) 방법 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 형성되는 것인, 그래핀 배선 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매층은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 황동(brass), 청동(bronze), 백동 및 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 그래핀 배선 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 화학기상증착(chemical vapour deposition; CVD) 방법에 의해 형성되는 것인, 그래핀 배선 형성 방법
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제 4 항에 있어서,상기 화학기상증착 방법은 고온 화학기상증착(Rapid Thermal Chemical Vapour Deposition; RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD), 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD), 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition; APCVD), 금속 유기화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 플라즈마 화학기상증착(Plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 방법을 포함하는 것인, 그래핀 배선 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 상압, 저압 또는 진공 하에 형성되는 것인, 그래핀 배선 형성 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 그래핀 배선
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