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금속나노입자-고분자입자 복합체 및 이를 포함하는 광학요소

  • 기술번호 : KST2015194318
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속나노입자-고분자입자 복합체 및 이를 함유하는 광학요소를 제공한다. 상기 복합체는 측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자를 함유하는 결정질 고분자 매트릭스를 구비하는 고분자 입자를 구비한다. 상기 고분자 입자의 표면 상에 금속나노입자가 부착된다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C08J 7/06 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01)
CPC C09K 11/00(2013.01)
출원번호/일자 1020130101248 (2013.08.26)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0024155 (2015.03.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서영수 대한민국 서울 노원구
2 김효선 대한민국 서울 광진구
3 박건우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0776055-86
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번호 청구항
1 1
측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자를 함유하는 결정질 고분자 매트릭스를 구비하는 고분자 입자; 및상기 고분자 입자의 표면 상에 부착된 금속나노입자를 포함하는 금속나노입자-고분자입자 복합체
2 2
제1항에 있어서,상기 측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자는 측쇄에 극성작용기를 갖지 않는 고분자 블록과 측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자 블록의 블록 코폴리머인 금속나노입자-고분자입자 복합체
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자는 부분 산화된 폴리올레핀 왁스 또는 폴리올레핀-폴리말레산무수물 공중합체 왁스인 금속나노입자-고분자입자 복합체
4 4
제1항에 있어서,상기 고분자 입자는 상기 고분자 매트릭스 내에 분산되고 캡핑층에 의해 캡핑된 양자점들을 포함하는 금속나노입자-고분자입자 복합체
5 5
제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 귀금속 나노입자인 금속나노입자-고분자입자 복합체
6 6
제5항에 있어서,상기 금속나노입자는 금 또는 은 나노입자인 금속나노입자-고분자입자 복합체
7 7
베이스 기판; 및상기 베이스 기판의 일면 상에 배치되고 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속나노입자-고분자입자 복합체를 함유하는 광변환층을 포함하는 광학 요소
8 8
제7항에 있어서,상기 베이스 기판은 그의 상부에 발광다이오드가 실장된 기판이고,상기 광변환층은 상기 금속나노입자-고분자입자 복합체가 봉지 수지 내에 분산된 층인 광학 요소
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제7항에 있어서,상기 광변환층 내에 양자점이 분산된 광학 요소
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.