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일반식 (A)1-xREx(B)a(X)b (여기서, A는 Ba, Sr, Ca, Mg, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및 Zn 중에서 선택된 원소를 1종 이상 포함하고, B는 Al, Si, P, Ga, Ge, Sn 및 Bi 중에서 선택된 1종 이상 포함하고, X는 O, N, Cl, F, C , S 및 Se 중에서 선택된 1종 이상 포함하고, RE는 Eu를 필수원소로 하고, Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb 중에서 선택된 원소를 1종 이상 포함함)로 나타내는 형광체로서, 분말 X선 회절 패턴에 있어서 가장 강도가 있는 회절 피크의 상대 강도를 100%로 했을 때, 상기 X선 회절 패턴의 브래그 각도(2θ)가 15
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제1항에 있어서,상기 형광체의 모체는 사방정계(orthorombic) 결정구조를 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
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제2항에 있어서,상기 형광체의 모체의 격자상수는 a = 9
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제1항에 있어서,상기 A는 Sr 또는 Ba를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체
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제4항에 있어서,상기 Sr 또는 Ba는 그 일부가 Ca, Mg, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및 Zn 중에서 선택된 1종 이상으로 20mol% 이하로 대체되는 것을 특징으로 하는 형광체
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제1항에 있어서,상기 X는 O 및 N을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체
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제6항에 있어서,상기 O 또는 N은, Cl, F, C, S 및 Se 중에서 선택된 1종 이상으로 대체되는 것을 특징으로 하는 형광체
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제1항에 있어서,상기 형광체는 300~400nm 여기광에 대하여 450~500nm의 발광 피크 파장을 나타내는 것을 특징으로 하는 형광체
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제1항에 있어서,상기 형광체에 함유된 Sr 또는 Ba과 (Al,Si) 및 (O,N)의 비율(Sr 또는 Ba):(AlSi):(O,N))이 1:5:8인 것을 특징으로 하는 형광체
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여기광을 방출하는 발광소자; 및상기 여기광을 흡수하여 가시광을 방출하는 파장변환부;를 포함하며,상기 파장변환부는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 형광체를 포함하는 발광장치
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제10항에 있어서,상기 발광소자는 자외선 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 발광장치
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