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다수의 금속원소들이 균질한 조성을 갖는 비정질 합금층; 및 상기 비정질 합금층 상에 상기 비정질 합금층의 금속원소들 중 적어도 일부로부터 산화된 금속산화물층을 포함하는 전기화학소자용 구조체
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제1항에 있어서,상기 비정질 합금층은 하기 화학식 1로 나타내어지는 조성을 갖는 전기화학소자용 구조체:[화학식 1] (M1)x(M2)y(M3)z (x+y+z=100)상기 화학식 1에서, M1은 Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Tc, Hf, Ta, W, 및 Re로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이고, M2는 Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이며,M3는 Li, Mg, Al, Si, Ca, Zn, Ga, Cd, In, 및 Sn로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이다
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제2항에 있어서,상기 화학식 1에서, 10≤x≤90이고 0003c#z≤80인 전기화학소자용 구조체
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제2항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 상기 M3는 도 2a의 점 I(x=89
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제4항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 상기 M3는 도 2b의 점 I(x=80, y=10, z=10), 점 Ⅱ(x=80, y=19
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제5항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 상기 M3는 도 2c의 점 I(x=70, y=10, z=20), 점 Ⅱ(x=70, y=29
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제2항에 있어서,상기 화학식 1의 x 및 y는 하기 수학식들 1a, 1b, 및 1c 중 어느 하나를 만족하고, 각 경우에 z는 0 초과 8 이하, 1 내지 7, 또는 3 내지 5인 전기화학소자용 구조체:[수학식 1a][수학식 1b][수학식 1c]
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제1항에 있어서,상기 비정질 합금층은 하기 화학식 2로 나타내어지는 조성을 갖는 전기화학소자용 구조체:[화학식 2](TiaM1αbM1βc)x(M2αdM2βe)yM3z (x+y+z=100, a+b+c=100%, d+e=100%)상기 화학식 2에서, M1α와 M1β는 V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Tc, Hf, Ta, W, 및 Re로 이루어진 군에서 선택되는 서로 다른 금속들이고,M2α와 M2β는 Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 서로 다른 금속들이고,M3는 Li, Mg, Al, Si, Ca, Zn, Ga, Cd, In, 및 Sn로 이루어진 군에서 선택되는 금속이다
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제8항에 있어서,상기 M1α와 상기 M1β는 Zr, Nb, 및 Hf로 이루어진 군에서 선택되는 서로 다른 금속이고,상기 M2α와 상기 M2β는 각각 Cu와 Ni이고,상기 M3는 Al, Si, Zn, 및 Sn로 이루어진 군에서 선택되는 금속이다
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제8항에 있어서,상기 화학식 2에서, 10≤x≤90이고 0003c#z≤80인 전기화학소자용 구조체
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제8항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 상기 M3는 도 2a의 점 I(x=89
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제11항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 상기 M3는 도 2b의 점 I(x=80, y=10, z=10), 점 Ⅱ(x=80, y=19
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제12항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 상기 M3는 도 2c의 점 I(x=70, y=10, z=20), 점 Ⅱ(x=70, y=29
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제8항에 있어서,상기 화학식 2의 x 및 y는 하기 수학식들 1a, 1b, 및 1c 중 어느 하나를 만족하고, 각 경우에 z는 0 초과 8 이하, 1 내지 7, 또는 3 내지 5인 전기화학소자용 구조체:[수학식 1a][수학식 1b][수학식 1c]
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제1항에 있어서,상기 비정질 합금층은 (Ti33Zr33Hf33)29
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다수의 금속원소들이 균질한 조성을 갖는 비정질 합금층을 제공하는 단계; 및상기 비정질 합금층 상에 수열합성법을 사용하여 상기 비정질 합금층의 금속원소들 중 적어도 일부로부터 산화된 금속산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 전기화학소자용 구조체 제조방법
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제16항에 있어서,상기 비정질 합금층은 하기 화학식 1로 나타내어지는 조성을 갖는 전기화학소자용 구조체 제조방법:[화학식 1] (M1)x(M2)y(M3)z (x+y+z=100)상기 화학식 1에서, M1은 Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Tc, Hf, Ta, W, 및 Re로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이고, M2는 Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이며,M3는 Li, Mg, Al, Si, Ca, Zn, Ga, Cd, In, 및 Sn로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속이다
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제16항에 있어서,상기 비정질 합금층은 하기 화학식 2로 나타내어지는 조성을 갖는 전기화학소자용 구조체 제조방법:[화학식 2](TiaM1αbM1βc)x(M2αdM2βe)yM3z (x+y+z=100, a+b+c=100%, d+e=100%)상기 화학식 2에서, M1α와 M1β는 V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Tc, Hf, Ta, W, 및 Re로 이루어진 군에서 선택되는 서로 다른 금속들이고,M2α와 M2β는 Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 서로 다른 금속들이고,M3는 Li, Mg, Al, Si, Ca, Zn, Ga, Cd, In, 및 Sn로 이루어진 군에서 선택되는 금속이다
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제16항에 있어서,상기 비정질 합금층은 (Ti33Zr33Hf33)29
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제16항에 있어서, 상기 비정질 합금층은 플렉서블한 리본 형태를 갖는 전기화학소자용 구조체 제조방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된, 다수의 금속원소들이 균질한 조성을 갖는 비정질 합금층, 및 상기 비정질 합금층 상에 상기 비정질 합금층의 금속원소들 중 적어도 일부로부터 산화된 금속산화물층을 구비하는 구조체를 포함하는 전기화학소자
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제21항에 있어서,상기 금속산화물층 상에 촉매층을 더 포함하는 전기화학소자
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제21항에 있어서,상기 전기화학소자는 물분해 장치, 기체 센서, 또는 유해물 분해장치인 전기화학 소자
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제2항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 및 상기 M3 중 적어도 하나로부터 형성되는 금속산화물은 n형 반도체 또는 p형 반도체인 전기화학소자용 구조체
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제17항에 있어서,상기 M1, 상기 M2, 및 상기 M3 중 적어도 하나로부터 형성되는 금속산화물은 n형 반도체 또는 p형 반도체인 전기화학소자용 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물층은 n형 반도체 금속산화물, p형 반도체 금속산화물, 또는 이들의 조합을 함유하는 전기화학소자용 구조체
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제16항에 있어서,상기 금속산화물층은 n형 반도체 금속산화물, p형 반도체 금속산화물, 또는 이들의 조합을 함유하는 전기화학소자용 구조체 제조방법
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