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극성작용기를 갖는 고분자를 함유하고, 적층된 다수의 결정성 판들을 구비하는 고분자 매트릭스; 및상기 결정성 판들 사이에 양자점들 및 무기입자들을 포함하는 양자점-무기입자-고분자 복합체
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제1항에 있어서,상기 극성작용기를 갖는 고분자는 극성작용기를 갖지 않는 고분자 블록과 극성작용기를 갖는 고분자 블록의 블록 코폴리머인 양자점-무기입자-고분자 복합체
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 극성작용기를 갖는 고분자는 부분 산화된 폴리올레핀 왁스 또는 폴리올레핀-폴리말레산무수물 공중합체 왁스인 양자점-무기입자-고분자 복합체
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제1항에 있어서,상기 무기입자들은 금속 산화물인 양자점-무기입자-고분자 복합체
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제4항에 있어서,상기 금속 산화물은 티타늄 산화물, 실리콘 산화물, 또는 알루미늄 산화물인 양자점-무기입자-고분자 복합체
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스의 외부 표면 상에 위치하는 무기입자들을 더 포함하는 양자점-무기입자-고분자 복합체
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7
극성작용기를 갖는 고분자를 포함하는 결정성 입자; 및상기 결정성 입자 내에 분산된 양자점들 및 무기입자들을 포함하는 양자점-무기입자-고분자 복합체
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8
왁스가 재결정화된 입자; 및상기 입자 내부에 배치된 적어도 1개의 양자점 및 적어도 1개의 무기입자를 포함하는 양자점-무기입자-복합체
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9
베이스 기판; 및상기 베이스 기판의 일면 상에 배치되고 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 양자점-무기입자-고분자 복합체를 함유하는 광변환층을 포함하는 광학 요소
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제9항에 있어서,상기 베이스 기판은 그의 상부에 발광다이오드가 실장된 기판이고,상기 광변환층은 상기 양자점-무기입자-고분자 복합체가 봉지 수지 내에 분산된 층인 광학 요소
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제9항에 있어서,상기 베이스 기판은 플레이트형이고, 상기 광변환층은 상기 베이스 기판의 상부면 상에 배치된 광학 요소
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제9항에 있어서,상기 베이스 기판은 튜브형이고, 상기 광변환층은 상기 베이스 기판의 내부면 상에 배치된 광학 요소
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극성작용기를 갖는 고분자를 제1 용매 중에서 가열하여 고분자 용액을 형성하는 단계;제2 용매 내에 양자점들이 분산된 양자점 분산액을 형성하는 단계;제3 용매 내에 무기입자들이 분산된 무기입자 분산액을 형성하는 단계;상기 고분자 용액, 상기 양자점 분산액, 및 상기 무기입자 분산액을 혼합하여 혼합액을 형성하는 단계; 및상기 혼합액을 냉각시켜 고분자 매트릭스 내에 상기 양자점들과 상기 무기입자들이 분산된 양자점-무기입자-고분자 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 양자점-무기입자-고분자 복합체 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제1, 제2, 및 제3 용매들은 서로 섞일 수 있는 용매인 양자점-무기입자-고분자 복합체 제조방법
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