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그래핀층; 및상기 그래핀층 상에 배치되고, 복수 개의 제1 반구형 구조체들, 그리고 상기 제1 반구형 구조체들 사이에 형성된 제2 반구형 구조체들을 구비하되,상기 제1 반구형 구조체들 및 제2 반구형 구조체들은 각각의 표면 상에 탄소를 함유하는 층이 형성된 유전막을 포함하는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 반구형 구조체들과 상기 제2 반구형 구조체들은,Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2 및, SiO2으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 함유하는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 그래핀층과 상기 유전막 사이에 배치된 표면개질막을 더 포함하는 전자 소자
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제3항에 있어서,상기 표면개질막은 헥사메틸다이실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDS), 테트라메틸다이실라잔(Tetramethyldiilazane, TMDS), 페릴렌 테트라카복실산 (perylene tetracarboxylic acid, PTCA), 메틸트라이클로로실란(methyltrichlorosilane), 또는 이들의 복합층인 전자 소자
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그래핀층 상에 제1 단위 유전체를 ALD법을 사용하여 형성하는 단계;상기 제1 단위 유전체가 형성된 기판을 탄소를 포함하는 분위기에서 냉각하여, 상기 제1 단위 유전체의 표면 상에 탄소를 포함하는 표면층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 단위 유전체 상에 제2 단위 유전체를 ALD법을 사용하여 형성하는 단계를 포함하는 유전막 형성방법
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6
제5항에 있어서,상기 제1 단위 유전체는 제1 반구형 구조체들을 포함하는 유전막 형성방법
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제5항에 있어서,상기 냉각은 실온의 대기 분위기에서 수행되는 유전막 형성방법
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삭제
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제5항에 있어서,상기 제2 단위 유전체는 제2 반구형 구조체들을 포함하는 유전막 형성방법
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제5항에 있어서,상기 제1 단위 유전체를 형성하기 전에,상기 그래핀층 상에 표면개질막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유전막 형성방법
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