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기재 상에 금속 박막 패턴을 형성하는 것; 상기 금속 박막 패턴 상에 그래핀 층을 증착함과 동시에 상기 금속 박막 패턴을 증발시켜, 상기 기재 상에 그래핀 패턴을 형성하는 것; 및,상기 금속 박막 패턴을 형성하는 것 및 상기 금속 박막 패턴 상에 그래핀 층을 증착하는 것을 교번하여 수행함으로써 그래핀의 적층 패턴을 형성하는 것을 포함하는, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 적층 패턴 형성 방법은, 상기 기재 상에 서로 상이한 형상을 가지는 그래핀 패턴들이 적층되어 형성되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막 패턴 상에 그래핀 층을 증착하는 것은 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법에 의해 수행되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 화학기상증착 방법은 고온 화학기상증착(rapid thermal chemical vapor deposition; RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(inductively coupled plasma-chemical vapor deposition; ICP-CVD), 저압 화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition; LPCVD), 상압 화학기상증착(atmospheric pressure chemical vapor deposition; APCVD), 금속 유기화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD), 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 방법을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 화학기상증착 방법은 300℃ 내지 2,000℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 그래핀, 유리, 석영, 산소, 탄소펠트, 사파이어, 질화실리콘, 탄화실리콘, 산화실리콘, 티타늄 코팅기판, 세라믹, 금속, 또는 플라스틱을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막 패턴의 두께는 10 nm 내지 100 nm 인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막 패턴은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 황동(brass), 청동(bronze), 백동, 스테인레스 스틸(stainless steel), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 합금을 포함하는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막 패턴은 원자층증착(atomic layer deposition; ALD), 스퍼터링(sputtering), 열증착(thermal evaporation), 전자빔 증착(e-beam evaporation), 분자빔 증착(molecular beam epitaxy; MBE), 펄스레이저증착(pulsed laser deposition; PLD), 화학기상증착(chemical vapour deposition; CVD), 졸겔(sol-gel) 방법, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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10
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 층은 상압, 저압, 또는 진공 하에 형성되는 것인, 그래핀 적층 패턴 형성 방법
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