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제1 캡핑층을 구비하는 양자점; 및상기 양자점의 외부에 응집되고 제2 캡핑층을 구비하는 다수 개의 무기입자들을 포함하고,상기 양자점과 상기 무기입자의 몰비는 1:4 내지 1:12이고,상기 제1 캡핑층과 상기 제2 캡핑층은 동일 또는 서로 다른 비극성 유기기들을 갖고, 상기 제1 캡핑층의 비극성 유기기들과 상기 제2 캡핑층의 비극성 유기기들은 서로 맞물린(inter-digitate) 양자점-무기입자 응집체
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제1항에 있어서,상기 제1 캡핑층은 상기 비극성 유기기를 갖는 포스핀 옥사이드, 포스핀, 아민, 유기산, 포스폰산, 포스핀산, 티올(thiol), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질층인 양자점-무기입자 응집체
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 캡핑층에 구비된 비극성 유기기는 C6-C20의 알킬기 또는 아릴기인 양자점-무기입자 응집체
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제1항에 있어서,상기 제2 캡핑층은 상기 비극성 유기기를 갖는 포스핀 옥사이드, 포스핀, 아민, 유기산, 포스폰산, 포스핀산, 티올(thiol), 실란, 알콕시 실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질층인 양자점-무기입자 응집체
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 제2 캡핑층에 구비된 비극성 유기기는 C6-C20의 알킬기 또는 아릴기인 양자점-무기입자 응집체
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제1항에 있어서,상기 무기입자는 티타늄 산화물, 실리콘 산화물, 또는 알루미늄 산화물인 양자점-무기입자 응집체
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제1항에 있어서,상기 양자점은 단일층 또는 코아-쉘 형태의 다중층 구조를 가지며,상기 양자점의 각 층은 CdS, CdO, CdSe, CdTe, ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, MnS, MnO, MnSe, MnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질층인 양자점-무기입자 응집체
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제1 용매 내에 제1 비극성 유기기들을 갖는 제1 캡핑층을 구비하는 양자점들이 분산된 양자점 분산액을 제공하는 단계;제2 용매 내에 제2 비극성 유기기들을 갖는 제2 캡핑층을 구비하는 무기입자들이 분산된 무기입자 분산액을 제공하는 단계;상기 무기입자 분산액을 가열하는 단계;상기 양자점 분산액과 상기 가열된 무기입자 분산액을 혼합하여 혼합액을 형성하되, 상기 혼합액 중 양자점과 상기 무기입자의 몰비는 1:4 내지 1:12인 단계;상기 혼합액을 냉각시켜 상기 제1 비극성 유기기들과 상기 제2 비극성 유기기들이 서로 맞물린(inter-digitate) 양자점-무기입자 응집체를 형성하는 단계를 포함하는 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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제8항에 있어서,상기 제1 용매는 비극성 용매이고, 상기 제2 용매도 비극성 용매인 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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제8항에 있어서,상기 제1 용매는 비극성 용매이고, 상기 제2 용매는 비극성 용매와 극성 용매의 혼합용매인 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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삭제
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제8항에 있어서,상기 제1 캡핑층은 상기 제1 비극성 유기기를 갖는 포스핀 옥사이드, 포스핀, 아민, 유기산, 포스폰산, 포스핀산, 티올(thiol), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질층인 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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제8항 또는 제12항에 있어서,상기 제1 캡핑층에 구비된 제1 비극성 유기기는 C6-C20의 알킬기 또는 아릴기인 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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제8항에 있어서,상기 제2 캡핑층은 상기 제2 비극성 유기기를 갖는 포스핀 옥사이드, 포스핀, 아민, 유기산, 포스폰산, 포스핀산, 티올(thiol), 실란, 알콕시 실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질층인 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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제8항 또는 제14항에 있어서,상기 제2 캡핑층에 구비된 제2 비극성 유기기는 C6-C20의 알킬기 또는 아릴기인 양자점-무기입자 응집체 형성방법
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