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기판 상에 n형 탄소전구체를 포함하는 제1 탄소전구체를 분사하는 단계;상기 분사된 제1 탄소전구체에 전자빔 또는 이온빔을 조사하여 제1 비정질 탄소 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 비정질 탄소 패턴을 열처리하여 n형 그래핀 패턴을 형성하는 단계; 및상기 n형 그래핀 패턴 상에 p형 탄소전구체를 포함하는 제2 탄소전구체를 분사하는 단계;상기 분사된 제2 탄소전구체에 전자빔 또는 이온빔을 조사하여 제2 비정질 탄소 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 비정질 탄소 패턴을 열처리하여 상기 n형 그래핀 패턴과 p-n 접합을 이루는 p형 그래핀 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 p형 탄소전구체는 B(C6H5)3(Triphenylborane), C9H11BO2(trans-3-phenyl-1-propen-1-ylboronic acid), CH3OC6H4CH=CHB(OH)2(trans-2-(4-methoxyphenyl)vinylboronic acid), C6H5BCl2(Dichlorophenylborane), C6H7BO2(benzeneboronic acid), C6H7BO3(3-Hydroxyphenylboronic acid), C6H8B2O4(Benzene-1,4-diboronic acid), C6H13BO2(Cyclohexylboronic acid), HCOC6H4B(OH)2(2-Formylphenylboronic acid, 3-Formylphenylboronic acid, 4-formylphenylboronic acid, ), HO2CC6H4B(OH)2(), CH3C6H4B(OH)2(o-tolylboronic acid, m-tolylboronic acid), 및 C7H9BO2(4-methylphenylboronic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 n형 그래핀 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 비정질 탄소 패턴 상에 제1 금속 촉매층을 형성하는 단계; 및 상기 n형 그래핀 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 금속 촉매층을 제거하는 단계를 더 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 p형 그래핀 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제2 비정질 탄소 패턴 상에 제2 금속 촉매층을 형성하는 단계; 및 상기 p형 그래핀 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 금속 촉매층을 제거하는 단계를 더 포함하는 p-n 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전자빔 또는 이온빔의 빔 가속 값은 0
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제1항에 있어서,상기 열처리는 진공 또는 환원성 기체 분위기 하에 800℃ 내지 1200℃에서 수행되는 p-n 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 n형 탄소전구체는 C3H3N3(1,3,5-Triazine, 1,2,4-Triazine, 1,2,3-Triazine), C12H8N2(Phenazine), C4H10N2(Piperazine), C4H4N2(Pyrazine, pyrimidine , pyridazine), C8H12N2(2-(2-Methylaminoethyl)pyridine), C6H8N2(4-(Aminomethyl)pyridine, 2-(Methylamino)pyridine), C3H4N4(3-Amino-1,2,4-triazine), C24H15N3O6(4,4,4-s-Triazine-2,4,6-triyl-tribenzoic acid), C3N3Na3S3(1,3,5-Triazine-2,4,6-trithiol trisodium), C3H2Cl12N4(2-Amino-4,6-dichloro-1,3,5-triazine), 및 C9H18N6(2,4,6-Tris(dimethylamino)-1,3,5-triazine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용하는 p-n 다이오드의 제조방법
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