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마이크로 캡슐형 양자점- 고분자 복합체, 상기 복합체의 제조 방법, 상기 복합체를 포함하는 발광다이오드 패키지, 및 상기 발광다이오드 패키지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194507
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로 캡슐형 양자점- 고분자 복합체, 상기 복합체의 제조 방법, 상기 복합체를 포함하는 발광다이오드 패키지, 및 상기 발광다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다. 상기 마이크로 캡슐형 양자점-고분자 복합체를 제조하기 위해, 먼저 측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자를 제1 용매 중에서 가열하여 고분자 용액을 형성한다. 제2 용매 내에 캡핑층에 의해 캡핑된 양자점들이 분산된 양자점 분산액을 상기 고분자 용액 내에 첨가하여 혼합액을 형성한다. 상기 혼합액을 냉각시켜 고분자 매트릭스 내에 상기 양자점들이 분산된 양자점-고분자 복합체를 형성한다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) C08K 9/10 (2006.01) C08L 101/00 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130016841 (2013.02.18)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1319728-0000 (2013.10.11)
공개번호/일자 10-2013-0105344 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20131018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120027039   |   2012.03.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 30

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서영수 대한민국 서울 노원구
2 박상율 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0141674-12
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0266654-41
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2013-0039277-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0413447-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0749749-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0749830-21
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0697556-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자를 제1 용매 중에서 가열하여 고분자 용액을 형성하는 단계;제2 용매 내에 캡핑층에 의해 캡핑된 양자점들이 분산된 양자점 분산액을 상기 고분자 용액 내에 첨가하여 혼합액을 형성하는 단계; 및상기 혼합액을 냉각시켜 고분자 매트릭스 내에 상기 양자점들이 분산된 양자점-고분자 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 양자점-고분자 복합체 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 고분자는 결정성 고분자인 양자점-고분자 복합체 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 고분자는 70도에서 200도(℃) 사이의 연화점을 갖는 양자점-고분자 복합체 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 극성작용기는 산소성분을 포함하는 작용기인 양자점-고분자 복합체 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 산소성분은 -OH, -COOH, -COH, -O-, 또는 -CO 인 양자점-고분자 복합체 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 고분자는 부분 산화된 고분자인 양자점-고분자 복합체 제조방법
7 7
제1항 또는 제6항에 있어서,상기 고분자의 주쇄는 폴리올레핀, 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리아마이드, 폴리이미드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 양자점-고분자 복합체 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 고분자는 부분 산화된 폴리올레핀, 부분 산화된 폴리스티렌, 부분 산화된 폴리에스터, 부분 산화된 폴리카보네이트, 부분 산화된 폴리아마이드, 부분 산화된 폴리이미드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 고분자인 양자점-고분자 복합체 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 고분자는 부분 산화된 폴리올레핀 왁스인 양자점-고분자 복합체 제조방법
10 10
제1항 또는 제6항에 있어서,상기 고분자는 폴리올레핀, 폴리스티렌, 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리아마이드, 폴리이미드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 고분자와 폴리말레산무수물(polymaleic anhydride)의 공중합체인 양자점-고분자 복합체 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 고분자는 폴리올레핀-폴리말레산무수물 공중합체 왁스인 양자점-고분자 복합체 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 고분자는 1 내지 100 mgKOH/g의 산가를 갖는 양자점-고분자 복합체 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 고분자는 3 내지 40 mgKOH/g의 산가를 갖는 양자점-고분자 복합체 제조방법
14 14
제1항에 있어서,상기 고분자는 싸이클릭 에테르(cyclic ether), 이소시아네이트(isocyanate), 아크릴레이트(acrylate) 및 싸이올(thiol)로 이루어진 군에서 선택되는 경화가능한(crosslinkable) 치환기를 갖는 양자점-고분자 복합체 제조방법
15 15
제1항에 있어서,상기 제1 용매와 상기 제2 용매는 서로 같은 양자점-고분자 복합체 제조방법
16 16
제1항 또는 제15항에 있어서,상기 제1 용매와 상기 제2 용매는 비극성 용매인 양자점-고분자 복합체 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 제1 용매와 상기 제2 용매는 서로에 관계없이 벤젠(benzene), 자일렌(xylene), 톨루엔(toluene), 씨클로헥산(cyclohexane), 또는 사염화탄소(carbon tetrachloride)인 양자점-고분자 복합체 제조방법
18 18
제1항에 있어서,상기 고분자 용액을 형성하는 단계에서 가열 온도는 90 내지 130도(℃)인 양자점-고분자 복합체 제조방법
19 19
제1항에 있어서,상기 혼합액을 냉각시키는 속도는 1도/분(℃/min) 내지 200도/분(℃/min)인 양자점-고분자 복합체 제조방법
20 20
측쇄에 극성작용기를 갖는 결정성 고분자를 포함하여, 적층된 다수의 결정성 판들과 상기 결정성 판들 사이에 배치된 무정형 고분자를 포함하는 구조를 갖는 고분자 매트릭스; 및상기 고분자 매트릭스의 상기 결정성 판들 사이에 분산되고 캡핑층에 의해 캡핑된 양자점들을 포함하는 양자점-고분자 복합체
21 21
삭제
22 22
제20항에 있어서,상기 고분자는 부분 산화된 폴리올레핀 왁스 또는 폴리올레핀-폴리말레산무수물 공중합체 왁스인 양자점-고분자 복합체
23 23
제20항에 있어서,상기 고분자는 3 내지 40 mgKOH/g의 산가를 갖는 양자점-고분자 복합체
24 24
제20항에 있어서,상기 고분자는 싸이클릭 에테르(cyclic ether), 이소시아네이트(isocyanate), 아크릴레이트(acrylate) 및 싸이올(thiol)로 이루어진 군에서 선택되는 경화가능한(crosslinkable) 치환기를 갖는 양자점-고분자 복합체
25 25
상부면 상에 발광다이오드가 실장된 베이스 기판을 제공하는 단계; 및양자점-고분자 복합체가 분산된 분산액과 봉지 수지를 혼합한 혼합액을 상기 베이스 기판의 상부면 상에 제공하는 단계를 포함하되,상기 양자점-고분자 복합체는,측쇄에 극성작용기를 갖는 결정성 고분자를 포함하여, 적층된 다수의 결정성 판들과 상기 결정성 판들 사이에 배치된 무정형 고분자를 포함하는 구조를 갖는 고분자 매트릭스; 및 상기 고분자 매트릭스의 상기 결정성 판들 사이에 분산되고 캡핑층에 의해 캡핑된 양자점들을 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
26 26
제25항에 있어서,상기 봉지 수지는 에폭시 수지, 페놀수지, 폴리에스테르, 실리콘 수지, 아크릴레이트 수지, 우레탄-아크릴레이트 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
27 27
제25항에 있어서,상기 측쇄에 극성작용기를 갖는 고분자는 싸이클릭 에테르(cyclic ether), 이소시아네이트(isocyanate), 아크릴레이트(acrylate) 및 싸이올(thiol)로 이루어진 군에서 선택되는 경화가능한(crosslinkable) 치환기를 갖고,상기 혼합액을 상기 베이스 기판 상에 제공한 후, 상기 고분자를 경화하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
28 28
제27항에 있어서,상기 봉지 수지를 경화시킴과 동시에 상기 고분자도 경화되는 발광다이오드 패키지 제조방법
29 29
상부면 상에 발광다이오드가 실장된 베이스 기판; 및상기 베이스 기판의 상부면 상에 상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 포함하되,상기 광변환층은 봉지 수지 내에 분산된 양자점-고분자 복합체를 포함하고,상기 양자점-고분자 복합체는,측쇄에 극성작용기를 갖는 결정성 고분자를 포함하여, 적층된 다수의 결정성 판들과 상기 결정성 판들 사이에 배치된 무정형 고분자를 포함하는 구조를 갖는 고분자 매트릭스; 및 상기 고분자 매트릭스의 상기 결정성 판들 사이에 분산되고 캡핑층에 의해 캡핑된 양자점들을 포함하는 발광다이오드 패키지
30 30
제29항에 있어서,상기 봉지 수지는 에폭시 수지, 페놀수지, 폴리에스테르, 실리콘 수지, 아크릴레이트 수지, 우레탄-아크릴레이트 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 발광다이오드 패키지
31 31
제29항에 있어서,상기 고분자는 싸이클릭 에테르(cyclic ether), 이소시아네이트(isocyanate), 아크릴레이트(acrylate) 및 싸이올(thiol)로 이루어진 군에서 선택되는 경화가능한(crosslinkable) 치환기를 갖고,상기 고분자는 상기 경화가능한 치환기로 인해 경화된 발광다이오드 패키지
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1 지식경제부 세종대학교 산학협력단 산업원천기술개발 양자점 표면개질 및 폴리머 분산기술