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자성 금속을 이용한 자기 기억 소자

  • 기술번호 : KST2015194534
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 크기의 자성 금속을 이용한 새로운 개념의 자기 기억 소자에 대한 것이다. 종래의 자기 기억 소자를 제조하기 위한 기술적 방법으로는 비자성 물질의 양 측면에 박막형태로 접합 되어 있는 두 개의 자성층의 자화방향이 동일하거나 반대일 때 비자성 물질의 저항이 차이가 나는 것을 기억 정보로 이용하거나 이를 응용한 방법이 사용되고 있으나, 자성층과 비자성 물질의 적층구조로 이루어져 있어서 소자 구성이 복잡해지고 이로 인하여 고집적도를 얻는데 어려운 단점이 있다. 본 발명은 수십에서 수백 나노미터 크기의 자성 금속을 이용하여 작동원리가 간단하고 고집적도를 얻을 수 있으며 비휘발성 방식의 기억소자를 제작하는 방법으로서 반도체 기판 위에 자기적 성질을 가지는 금속을 일반적인 반도체 공정으로 형성하고, 전류 구동에 의한 자벽의 이동원리를 적용하여 자벽의 위치변화에 따른 차이로 기억소자의 기본인 “0”과 “1”의 쓰기를 구현하며, 자벽의 위치변화에 따른 자성 금속 내부의 맴돌이전류에 의한 전기력의 변화를 탐지하여 읽기를 수행한다. 자기 기억 소자, 메모리, 자성 금속, 자벽, 맴돌이전류
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 11/15 (2006.01.01) B82Y 25/00 (2017.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01)
CPC G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01)
출원번호/일자 1020050134308 (2005.12.29)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0933888-0000 (2009.12.17)
공개번호/일자 10-2006-0013476 (2006.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20091228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형권 대한민국 서울특별시 중랑구
2 안도열 대한민국 경기 안양시 동안구
3 황종승 대한민국 서울특별시 종로구
4 황성우 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0780721-59
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0002659-17
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0057649-34
4 보정요구서
Request for Amendment
2006.02.02 재발송완료 (Re-dispatched) 1-5-2006-0015555-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0743748-50
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.05 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2007-0006876-99
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135040-93
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0179831-11
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0262308-79
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0337760-29
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0410831-19
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0491067-75
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0570327-27
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0646817-03
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0646818-48
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0695931-84
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0136568-90
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0210483-22
19 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0294745-36
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0321904-23
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0321925-82
22 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0401696-11
23 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0402642-35
24 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2008.11.07 수리 (Accepted) 7-8-2008-0037578-05
25 등록결정서
Decision to grant
2009.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0386691-20
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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나노 크기의 자성 금속 박막을 구비하고, 상기 자성 금속 박막은 그 길이 방향을 따라 2개의 지점이 다른 부분에 비해 오목하게 형성되어 이 오목 부분에 의해 3개의 부분으로 구분되며, 상기 자성 금속 박막의 3개 부분 중 양측 부분에는 쓰기 금속 전극이 결합되고, 상기 자성 금속 박막의 3개 부분 중 중앙 부분에는 읽기 금속 전극이 결합되며, 상기 2개의 오목 부분 중 하나가 자벽을 형성하고, 상기 자벽의 위치는 두 개의 쓰기 금속 전극을 통하여 흐르는 전류에 의해 정해지며, 상기 자벽의 위치는 읽기 금속 전극과 한 개의 쓰기 금속 전극 사이의 전압의 변화로 판정하는 것을 특징으로 하는 자성 금속을 이용한 자기 기억 소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.