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동일 평면 게이트 양자점 트랜지스터 제작방법

  • 기술번호 : KST2015194537
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소스와 드레인 채널 사이에 양자점이 있는 트랜지스터의 제작방법에 관한 것으로서 채널과 동일 평면에 구현한 게이트를 사용하여 채널과 양자점의 포텐셜을 조절한다. 상기 트랜지스터는 양자점, 소스, 드레인과 두 개의 포텐셜 조절 게이트로 구성되어있다. 제작된 양자점 트랜지스터는 두 개의 게이트에 적절하게 플러스 또는 마이너스 전압을 인가하여 동작한다. 인가되는 게이트 전압에 따라 공명 터널링 현상이 나타나는 특성이 있으며, 두 개의 조절 게이트 전압 합이 일정한 전압 이상에서는 단일 전자 터널링 현상이 나타나는 특성이 있으므로 일반적인 트랜지스터에 비하여 다양한 기능을 제공할 수 있는 트랜지스터를 제작할 수 있다.양자점, 단일 전자, 공명 터널링, 트랜지스터, 나노, 전자소자
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01)
출원번호/일자 1020050135573 (2005.12.30)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0765962-0000 (2007.10.04)
공개번호/일자 10-2006-0010704 (2006.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20071011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손승훈 대한민국 경기 용인시
2 안도열 대한민국 경기 안양시 동안구
3 황종승 대한민국 서울특별시 종로구
4 황성우 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0785030-80
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0003602-94
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0057777-70
4 보정요구서
Request for Amendment
2006.02.02 재발송완료 (Re-dispatched) 1-5-2006-0015556-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001223-41
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0049175-43
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.08 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2007-0076384-12
9 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135040-93
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.04.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0314449-51
11 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2007.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0059507-34
12 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2007.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0082256-19
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0335261-58
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.08.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0033658-13
15 등록결정서
Decision to grant
2007.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0481820-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
동일한 평면에 채널과 게이트를 구성하는 방법에 있어서,이차원 전자층(10)이 있는 웨이퍼를 제작하는 단계와,웨이퍼에 포토 리소그래피와 산을 이용하여 메사(11) 구조를 제작하는 단계,상기 메사(11)에 전자빔 리소그라피 방법을 사용하여 소스(21), 드레인(22), 채널 제어 게이트(23), 양자점 제어 게이트(24), 양자점(25)을 형성하는 단계 및
2 2
제1항에 있어서,상기 채널 제어 게이트와 양자점 제어 게이트는 양자점의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 동일 평면 게이트 양자점 트랜지스터 소자의 제작 방법
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삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.