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ULSI을 위한 고온 안정 니켈 실리사이드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015194540
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ULSI을 위한 고온 안정 니켈 실리사이드 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 본 발명은 단결정 또는 다결정 실리콘 기판 위에 이리듐층 및 니켈층을 증착하거나, 또는 이리듐이 합금화된 니켈 박막을 직접 실리콘 기판 위에 증착하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 증착된 실리콘 기판을 열처리하여 실리사이드화 반응을 수행하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 실리사이드화 반응이 수행된 실리콘 기판을 냉각시키는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 고온 안정 니켈 실리사이드 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면, 기존의 니켈 실리사이드 소재에 소량의 이리듐을 혼합하여 고온에서도 안정하게 저저항을 유지하는 고온 안정 니켈 실리사이드를 제조함으로써 반도체 소재 분야에 유용하게 사용될 수 있다.ULSI, 실리사이드, 이리듐
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) C01B 33/06 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020060088657 (2006.09.13)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0024374 (2008.03.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤기정 대한민국 서울 동대문구
2 송오성 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0661976-16
2 출원인코드정정신청서
Request for Correction of Applicant Code
2007.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0202661-86
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0027258-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0346429-89
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0621129-79
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0695746-97
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0764081-30
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0764080-95
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0094617-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 또는 다결정 실리콘 기판 위에 이리듐층 및 니켈층을 증착하거나, 또는 이리듐이 합금화된 니켈 박막을 직접 실리콘 기판 위에 증착하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 증착된 실리콘 기판을 열처리하여 실리사이드화 반응을 수행하는 단계(단계 2); 및상기 실리사이드화 반응이 수행된 실리콘 기판을 냉각시키는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 이리듐층의 증착 두께는 니켈층의 증착 두께에 대하여 이리듐의 첨가량을 조절함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 이리듐의 첨가량은 니켈층의 증착 두께의 1 ~ 10%로 조절되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 니켈 박막은 이리듐이 1~10% 합금화된 것임을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 증착되는 이리듐층 및 니켈층의 증착순서는 이리듐층 증착 후 니켈층을 증착하거나(이리듐층/니켈층), 또는 니켈층을 증착한 후 이리듐층을 증착(니켈층/이리듐층)하는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 증착되는 이리듐층/니켈층 또는 니켈층/이리듐층은 1회 증착되거나, 또는 2회 이상 반복하여 증착되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 실리사이드화 반응을 수행하기 위한 열처리는 급속 열처리 장치에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 열처리 온도는 200 ~ 1300 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리 온도는 700 ~ 1300 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 냉각은 불활성 기체를 -60 ~ 100 ℃에서 10 ~ 60분의 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고온 안정 니켈 실리사이드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.