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실리콘 전자구조의 계곡축퇴를 이용한 양자게이트 소자

  • 기술번호 : KST2015194541
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자컴퓨터를 구현하기 위한, 기본적인 동작소자인 양자게이트(quantum gate)를 만드는 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 실리콘의 전자구조에서 나타나는 계곡축퇴상태에 전자를 전기장 또는 포논을 이용하여 옮겨 넣음으로써 양자게이트를 만드는 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, 실리콘으로 이루어진 수십 나노미터의 양자점을 만들고, 계곡축퇴상태에로 전자를 넣기 위한 금속전극의 구조와 양자점의 배치를 제안하여, 단양자비트 게이트(single bit gate)와 쌍양자비트 게이트를 구현하는 방법을 제시한다. 실리콘에서 전자구조의 계곡축퇴는 자연적인 현상이므로, 전자의 스핀만큼이나 안정된 양자상태이다. 따라서, 이를 이용한 양자비트(qubit)는 양자적인 결맞음에 큰 장점을 가지고있어서, 양자컴퓨터의 실현에 알맞은 소자특성을 제공해 줄 수 있다는 특징을 가지고있다. 양자컴퓨터, 양자비트, 양자게이트, 계곡축퇴, 실리콘
Int. CL G06N 99/00 (2019.01.01) G06E 1/00 (2006.01.01) H01L 29/12 (2006.01.01)
CPC G06N 99/002(2013.01) G06N 99/002(2013.01) G06N 99/002(2013.01)
출원번호/일자 1020060019109 (2006.02.28)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0080134 (2006.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안도열 대한민국 경기 안양시 동안구
2 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
3 오정현 대한민국 경기 구리시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0144774-52
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0037163-82
3 보정요구서
Request for Amendment
2006.03.27 재발송완료 (Re-dispatched) 1-5-2006-0045647-11
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-5042120-93
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.02.12 수리 (Accepted) 4-1-2007-5023332-57
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135023-16
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0031232-00
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352333-91
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0620777-66
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0620778-12
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0701145-01
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0139175-75
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0218240-21
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.03.28 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0226102-72
16 보정요구서
Request for Amendment
2008.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0048410-92
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0303325-86
18 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0058252-53
19 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0454611-83
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘의 계곡축퇴현상을 이용한 양자게이트소자를 구현하는 방법과 이에 따른 전기장을 통한 제어 방법
2 2
광학포논을 이용하여 전자상태를 제어하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.