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나노 전자석을 이용한 자성 나노 입자의 포획 방법

  • 기술번호 : KST2015194542
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수십에서 수백 나노미터 크기의 미세한 전자석을 이용하여 수십 나노미터 크기의 자성 입자를 포획하는 방법에 관한 것이다. 나노미터 크기의 전자석은 광식각법(photolithography)이나 전자빔 식각법(electron beam lithography)으로 반도체 기판 위에 정의된 모양을 형성한 뒤에 금속을 증착함으로써 제작된다. 금속으로 이루어진 나노 전자석에 전류를 흘려주면 나노 전자석 주위에 자기장을 형성시킬 수 있으며, 나노 전자석의 모양을 변화시키거나 흘려주는 전류의 양을 조절함으로써 나노 전자석 주위에 형성된 자기장의 분포모양을 변화시킬 수 있다. 이러한 나노 전자석 위에 자성 나노 입자를 포함하는 용액을 떨어뜨리거나, 미세한 용액 통로를 만들어 자성 나노 입자가 포함된 용액을 나노 전자석 위로 지나가게 하면, 자성 나노 입자는 전자석 주위에 형성되어 있는 자기장의 분포로부터 힘을 받아 나노 전자석 주위의 원하는 위치에 포획될 수 있다. 특히, 본 발명은 요철 모양의 전류회로로 구성된 나노 전자석을 이용하면 원하는 위치에 단 하나의 자성 나노 입자만을 개별적으로 포획할 수 있음을 제시한다.나노 전자석, 자성 나노 입자, 자기장, 리소그라피, 포획
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC B82B 3/0071(2013.01) B82B 3/0071(2013.01)
출원번호/일자 1020050134335 (2005.12.29)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0857278-0000 (2008.09.01)
공개번호/일자 10-2006-0015436 (2006.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20080908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형권 대한민국 서울 중랑구
2 안도열 대한민국 경기 안양시 동안구
3 황종승 대한민국 서울 종로구
4 황성우 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0780775-14
2 보정요구서
Request for Amendment
2006.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0002605-52
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0057693-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0698578-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.06 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2006-0728363-89
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0109318-25
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135040-93
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0179828-73
9 의견서
Written Opinion
2007.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0265046-26
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0265047-72
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0434940-96
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0724258-98
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0807025-36
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0885172-46
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0016924-60
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0101448-11
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0101449-56
18 등록결정서
Decision to grant
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0299102-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판상에 요철형상을 갖는 나노 크기의 나노 전자석을 형성하는 단계와,상기 나노 전자석 위에 자성 나노 입자를 포함하는 용액을 떨어뜨리는 단계 및,나노 전자석에 전류를 흘리는 단계를 포함하여 구성되고,상기 나노 전자석은 리소그라피, 금속 증착 및 식각공정에 의하여 만들어짐과 더불어 폭이 100나노미터인 경우에 대하여 높이가 30 나노미터인 것을 특징으로 하는 나노 전자석을 이용한 자성 나노 입자를 포획하는 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.