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각종 가스 주입을 위한 밸브가 구비된 가스 흡입부; 상기 가스 흡입부를 통해 주입되는 가스가 반응 챔버 내의 기판 홀더에 장착된 실리콘 기판에 반응하도록 된 반응부; 및 배기 밸브를 통해 상기 반응부 내의 가스를 배기함과 더불어 반응부 내의 압력제어를 위한 가스 배기부;를 구비하여 저압 화학 기상 증착법으로 실리콘 나노점 어레이를 형성하는 실리콘 나노점 어레이 제조장치에 있어서, 상기 가스 흡입부 및 가스 배기부의 각종 밸브의 개폐를 제어하여 상기 반응 챔버 내에 기 정해진 시간 동안 원료가스를 주입하여 실리콘 기판에 반응시킨 후, 원료가스의 주입을 차단함과 동시에 배기 밸브를 통해 반응 챔버 내의 반응가스를 제거하는 펄스형 가스 주입을 반복적으로 수행하여 상기 실리콘 기판에 형성되는 실리콘 나노점 어레이의 집적도와 크기를 제어하는 콘트롤러를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조장치
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제 1 항에 있어서, 상기 반복적으로 수행되는 펄스형 가스 주입시마다 상이한 원료가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 원료가스는 SiH4 또는 SiF4 또는 SiCl4 또는 Si2H6 또는 Si3H8 또는 SiH2Cl2인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조장치
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제 1 항에 있어서, 상기 원료가스의 주입시간은 수초 인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조장치
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제 1 항에 있어서, 상기 콘트롤러는 상기 실리콘 나노점 어레이의 집적도와 크기를 상기 반응 챔버 내의 압력, 원료가스의 주입시간, 반응 챔버 내의 온도, 반응가스의 유량 변화를 바탕으로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조장치
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저압 화학 기상 증착법으로 실리콘 나노점 어레이를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판을 반응 챔버 내의 기판 홀더에 장착한 후, 상기 반응 챔버 내에 산소가스를 주입하여 상기 실리콘 기판 상에 산화막을 형성하는 제1단계; 상기 반응 챔버 내에 원료가스를 주입하여 상기 산화막에 실리콘 나노점 어레이를 형성하는 제2단계; 및 상기 반응 챔버 내에 원료가스를 반복적으로 주입 및 배기하여 상기 제2단계에서 형성된 실리콘 나노점 어레이를 고농도의 균일한 실리콘 나노점 어레이로 형성하는 제3단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 원료가스는 SiH4 또는 SiF4 또는 SiCl4 또는 Si2H6 또는 Si3H8 또는 SiH2Cl2인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 원료가스는 수초 동안 주입되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제3단계에 이용되는 원료가스는 상기 제2단계에서 이용되는 원료가스와 다른 종류의 원료가스 및 혼합가스를 사용하여 상기 제2단계에서 성장된 나노점 어레이의 지속 성장을 억제하고 새로운 실리콘 나노점 핵생성을 유도하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제2단계에서의 실리콘 나노점 어레이 형성을 위해 상기 실리콘 기판의 온도를 450 ~ 550 ℃, 상기 반응 챔버 내의 압력을 수 Torr로 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제3단계에서의 고농도의 균일한 실리콘 나노점 어레이 형성을 위해 상기 실리콘 기판의 온도를 400 ~ 500℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제3단계에서 상기 반응 챔버 내에 반복적으로 주입되는 원료가스는 각 주입시마다 서로 상이한 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 어레이 제조방법
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실리콘 기판을 반응 챔버 내의 기판 홀더에 장착한 후, 상기 반응 챔버 내에 산소가스를 주입하여 상기 실리콘 기판 상에 산화막을 형성하는 제1단계; 상기 반응 챔버 내에 원료가스를 주입하여 상기 산화막에 실리콘 나노점 어레이를 형성하는 제2단계; 상기 반응 챔버 내에 원료가스를 반복적으로 주입 및 배기하여 상기 제2단계에서 형성된 실리콘 나노점 어레이를 고농도의 균일한 실리콘 나노점 어레이로 형성하는 제3단계; 상기 고농도의 균일한 실리콘 나노점 어레이에 실리콘 산화물 박막을 형성하는 제4단계; 상기 제2단계 내지 제4단계를 반복적으로 수행하여 다층 실리콘 산화물 절연층을 형성하는 제5단계; 및 상기 다층 실리콘 산화물 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 제6단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 실리콘 비휘발성 메모리 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 원료가스는 SiH4 또는 SiF4 또는 SiCl4 또는 Si2H6 또는 Si3H8 또는 SiH2Cl2인 것을 특징으로 하는 다중 레벨 실리콘 비휘발성 메모리 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제3단계에 이용되는 원료가스는 상기 제2단계에서 이용되는 원료가스와 다른 종류의 원료가스 및 혼합가스를 사용하여 상기 제2단계에서 성장된 나노점 어레이의 지속 성장을 억제하고 새로운 실리콘 나노점 핵생성을 유도하는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 실리콘 비휘발성 메모리 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제3단계에서 상기 반응 챔버 내에 반복적으로 주입되는 원료가스는 각 주입시마다 서로 상이한 것을 특징으로 하는 다중 레벨 실리콘 비휘발성 메모리 제조방법
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