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(a) 기판 상에 루테늄층을 형성하는 단계;(b) 상기 루테늄층 상에 니켈층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 루테늄층 및 상기 니켈층을 열처리하여 니켈 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 단결정 기판 또는 실리콘 다결정 기판 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 루테늄층 및 상기 니켈층은 물리 증기 증착법 또는 화학 증기 증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 루테늄층의 두께는 상기 니켈층의 두께의 1/10 이하인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)에서 열처리 방법은 RTA(Rapid Thermal Annealing)법인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조방법
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제5항에 있어서,상기 (c)에서 열처리 온도는 300 내지 1100℃인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (c)에서 열처리 시간은 40초인 것을 특징으로 하는 니켈실리사이드 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계 후에 남아 있는 금속을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조방법
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제8항에 있어서,상기 기판을 황산 용액에 일정 시간 담그어 놓음으로써 상기 금속을 제거하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조방법
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제1항에 있어서,상기 니켈 실리사이드는 12nm 이하의 표면 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조방법
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제1항에 있어서,상기 니켈 실리사이드는 니켈 모노실리사이드인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 제조방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 니켈 실리사이드
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