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제 1 소오스 전극, 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 터널링정크션 구조체;
상기 제1 터널링정크션 구조체와 이웃하고, 제2 소오스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 터널링정크션 구조체: 및
상기 제1 및 제2 터널링정크션 구조체들에 형성된 다수의 양자점을 포함하고,
상기 양자점들에서,
의 수학식을 만족시키는 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트[윗 식에서, Rαβ(θ)=exp(iθσα/2)이고(σα는 파울리 매트릭스이고, 윗첨자β가 1이면, 제1 터널링정크션의 오퍼레이터, 윗첨자β가 2이면, 제2 터널링정크션의 오퍼레이터임),
U2(α)는
임]
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제1 항에 있어서, 상기 Ry(θ)=-Rz(3π/2)Rx(θ)Rz(π/2)로 구현되는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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제2 항에 있어서, 상기 제1 터널링정크션 구조체는 상기 제1 소오스 전극으로부터 상기 제1 드레인 전극 방향으로 순차적으로 형성된 제1 z-회전 양자점, 제1 x-회전 양자점, 제2 z-회전 양자점, 제1 커플링 양자점, 제2 x-회전 양자점, 제2 커플링 양자점, 제3 x-회전 양자점, 제3 z-회전 양자점, 제4 x-회전 양자점 및 제4 z-회전 양자점을 포함하고,
상기 제2 터널링정크션 구조체는 상기 제2 소오스 전극으로부터 상기 제2 드레인 전극 방향으로 제3 커플링 양자점, 제4 커플링 양자점 및 제5 x-회전 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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제3 항에 있어서, 상기 제1 터널링정크션 구조체의 제1 커플링 양자점과 상기 제2 터널링정크션 구조체의 제3 커플링 양자점은 서로 인접하게 형성되어 좌측으로부터 첫 번째 U2(1/2)의 동작을 수행하고,
상기 제1 터널링정크션 구조체의 제2 커플링 양자점과 상기 제2 터널링정크션 구조체의 제4 커플링 양자점은 서로 인접하게 형성되어, 좌측으로부터 두 번째 U2(1/2)의 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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제3 항에 있어서, 상기 제1 터널링정크션 구조체는 상기 제4 z-회전 양자점과 상기 제1 드레인 전극사이에 형성된 제1 검출 양자점과 상기 제1 검출 양자점의 양자상태 검출을 위한 제1 디텍터를 포함하는 제1 검출부를 더 포함하고,
상기 제2 터널링정크션 구조체는 상기 제5 x-회전 양자점과 상기 제2 드레인 전극 사이에 형성된 제2 검출 양자점과 상기 제2 검출 양자점의 양자상태 검출을 위한 제2 디텍터를 포함하는 제2 검출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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제5 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 터널링정크션 구조체의 각 양자점에 대응하는 다수의 마이크로 웨이브 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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제6 항에 있어서, 상기 마이크로 웨이브 전극들에는 교류전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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8
제1 항에 있어서, 상기 양자점들은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로하는 제어 반전 게이트
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9
제1 항에 있어서, 상기 제1 소오스 전극과 제2 소오스 전극은 서로 이웃하고,
상기 제1 드레인 전극과 상기 제2 드레인 전극은 서로 이웃하며,
상기 제1 소오스 전극과 상기 제1 드레인 전극은 서로 대향하고,
상기 제2 소오스 전극과 상기 제2 드레인 전극은 서로 대향하도록 배치된 것을 특징으로 하는 제어 반전 게이트
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10
제1 항 내지 9항 중 어느 하나의 항을 포함하는 논리회로
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