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기판과,
상기 기판상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극,
상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및,
상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,
상기 강유전체층이 β상의 결정구조를 갖는 PVDF인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,
상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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6
제5항에 있어서,
상기 유기물은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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7
기판과,
상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극,
상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및,
상기 강유전체층상에 상호 평행하며서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되고,
상기 강유전체층이 β상의 결정구조를 갖는 PVDF인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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8
제7항에 있어서,
상기 강유전체층이 하부 전극과 상부 전극의 교차영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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9
제7항에 있어서,
상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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삭제
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11
삭제
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12
제7항에 있어서,
상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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13
제12항에 있어서,
상기 유기물은 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 에틸렌 공중합체, 폴리프로필렌(PP), 프로필렌 공중합체, 폴리(4-메틸-1-펜텐)(TPX), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아세탈(POM), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리설폰(PSF), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리초산비닐(PVAC), 폴리비닐알콜(PVAL), 폴리비닐아세탈, 폴리스티렌(PS), AS수지, ABS수지, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 불소수지, 페놀수지(PF), 멜라민수지(MF), 우레아수지(UF), 불포화폴리에스테르(UP), 에폭시수지(EP), 디알릴프탈레이트수지(DAP), 폴리우레탄(PUR), 폴리아미드(PA), 실리콘수지(SI) 또는 이것들의 혼합물 및 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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